N沟道20V - 0.030
- 5A TSSOP8
2.7V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STC5NF20V
s
s
s
STC5NF20V
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
< 0.040
( @ 4.5 V )
< 0.045
( @ 2.7 V )
I
D
5A
s
典型
DS
（上） = 0.030
@ 4.5 V
典型
DS
（上） = 0.037
@ 2.7 V
超低阈值
栅极驱动（ 2.7 V ）
标准大纲EASY
自动化表面贴装
TSSOP8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理
便携式/台式电脑
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
价值
20
20
± 12
5
3
20
1.5
单位
V
V
V
A
A
A
W
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年2月
.
1/8
STC5NF20V
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 16V我
D
= 5A V
GS
=4.5V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
7
33
8.5
1.8
2.4
11.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
I
D
= 5 A
V
钳
= 16 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（感性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
10
26
11
21
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
26
13
1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 5 A
V
DD
= 10 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
STC5NF20V
N沟道20V - 0.030Ω - 5A - TSSOP8
2.7V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STC5NF20V
■
■
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
< 0.040
(@ 4.5 V)
< 0.045
(@ 2.7 V)
I
D
5A
超低门槛栅极驱动（ 2.7V ）
标准大纲，便于自动化表面
安装组件
TSSOP8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STC5NF20V
记号
C5NF20V
包
TSSOP8
包装
磁带&卷轴
2007年2月
第5版
1/12
www.st.com
12
目录
STC5NF20V
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
电气特性
STC5NF20V
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±12V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 2.5A
0.6
0.030
0.037
0.040
0.045
分钟。
20
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.5A
V
DS
= 15V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
9.5
460
200
50
8.5
1.8
2.4
11.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
=4.5V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 10V ，我
D
= 2.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
图13第8页
VCLAMP = 16V ，我
D
= 5A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
图15第8页
分钟。
典型值。
7
33
27
10
26
11
21
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4/12
STC5NF20V
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5A ，V
GS
= 0
I
SD
= 5A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 10V ，T
J
= 150°C
图15第8页
26
13
1
测试条件
分钟。
典型值。
最大
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
QQ：2881677436 复制
