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STC5DNF30V
双N沟道30V - 0.032Ω - 4.5A - TSSOP8
2.7V驱动的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STC5DNF30V
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
< 0.035Ω （ @ 4.5V ）
< 0.040Ω （ @ 2.7V ）
I
D
4.5A
标准大纲，便于自动化表面
安装组件
超低门槛栅极驱动（ 2.7V ）
TSSOP8
■
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。没有电的连接是
氧化物半导体场效应晶体管之间共享。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STC5DNF30V
记号
C5DNF30V
包
TSSOP8
包装
磁带&卷轴
2006年4月
REV 1
1/12
www.st.com
12
目录
STC5DNF30V
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STC5DNF30V
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
TOT （1）
1.
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25°C
价值
30
±8
4.5
2.8
18
1.3
单位
V
V
A
A
A
W
当安装在FR-4板与1inch垫，Cu和t<10sec的2盎司。
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
热数据
参数
价值
120
97.5
-55到150
-55到150
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
RthJ -PCB
(2)
热阻结到PCB最大
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.当安装在最低推荐的足迹。
2.当安装在FR-4板与1inch垫，Cu和t<10sec的2盎司。
3/12
电气特性
STC5DNF30V
2
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
(V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值
电压
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
=125°C
V
GS
= ± 8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
0.6
0.032
0.036
0.035
0.040
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.3A
阻力
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 2.3A
表4 。
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=25V
;
I
D
= 2.3A
分钟。
典型值。
9.5
460
200
50
8.5
1.8
2.4
11.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 16V ，我
D
= 4.5A,
V
GS
= 4.5V
（参见图14）
ns
ns
ns
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 10V ，我
D
= 2.3A,
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（参见图13）
V
DD
= 16V ，我
D
= 2.3A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图17）
分钟。
典型值。
7
33
27
10
26
11
21
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4/12
STC5DNF30V
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 4.5A ，V
GS
= 0
26
13
1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4.5
18
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 4.5A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复时间
反向恢复电荷V
DD
= 10V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（参见图15）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
5/12
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