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N沟道30V - 0.0065
- 95A DPAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB95NF03
s
s
s
s
STB95NF03
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.007
I
D
80 A
典型
DS
（上） = 0.0065
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
表面安装
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电磁阀和继电器驱动器
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(
)
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS
(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
价值
30
30
± 20
80
80
320
150
1
3.0
720
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤
95A ， di / dt的
≤
150A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 47.5A ，V
DD
= 25V
2003年3月
1/9
STB95NF03
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
1
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
A
I
D
= 45 A
分钟。
2
0.0065
典型值。
马克斯。
4
0.0070
单位
V
动态
符号
g
fs
(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
=45 A
分钟。
典型值。
50
2450
880
170
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
2/9
STB95NF03
电气特性
（续）
接通
(*)
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
I
D
= 47.5 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
20
195
59
18
21
70
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 15V我
D
= 95A V
GS
=10V
关闭
(*)
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20 V
R
G
= 4.7,
I
D
= 47.5 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
35
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
(*)
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 95 A
V
GS
= 0
60
120
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
95
320
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 95 A
T
j
= 150°C
V
DD
= 20 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
()
脉冲宽度限制T
JMAX
安全工作区
热阻抗
3/9
STB95NF03
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STB95NF03
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度的关系。
.
.
5/9
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