STB85NF3LL
N沟道30V - 0.006Ω - 85A - D
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB85NF3LL
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.008
I
D
85A
3
1
最优
DS
（上） X的Qg权衡@ 4.5V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
DPAK
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
意法半导体第三genaration独特的“
单一的功能尺寸“带为基础的进程。该
导致晶体管显示出最佳的权衡
之间的导通电阻和栅极电荷。当
在降压稳压器用于高端和低端，它
给出了在两个方面的最佳性能
传导和开关损耗。这是
对于主板在那里快速极其重要
开关和高效率是至
重要性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB85NF3LLT4
记号
B85NF3LL
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2006年8月
转4
1/13
www.st.com
13
目录
STB85NF3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
电气特性
STB85NF3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 40A
1
0.006 0.008
0.0075 0.0095
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 40 A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
30
2210
635
138
30
9
12.5
40
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 24V ，我
D
= 60A
V
GS
=4.5V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 30A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
图12第8页
VCLAMP = 24V ，我
D
=30A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
图14第8页
分钟。
典型值。
22
130
36.5
36.5
32
23
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4/13
STB85NF3LL
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 85A ，V
GS
= 0
I
SD
= 85A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ，T
J
= 150°C
图14第8页
65
105
3.4
测试条件
民
典型值。
最大
85
340
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/13
STB85NF3LL
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 24V ，我
D
= 60A,
V
GS
= 4.5V
分钟。
典型值。
22
130
30
9
12.5
40
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 15V ，我
D
= 30A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
VCLAMP = 24V ，我
D
=30A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
36.5
36.5
32
23
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 85A ，V
GS
= 0
I
SD
= 85A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
65
105
3.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
85
340
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
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