STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1
STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP
N沟道55V - 0.005Ω - 80A - TO- 220 / FP - 我
2
PAK - D
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB80NF55-06
STB80NF55-06-1
STP80NF55-06
STP80NF55-06FP
1.限制由包
■
■
■
V
DSS
55V
55V
55V
55V
R
DS （ ON）
<0.0065
I
D
80A
(1)
TO-220
(1)
3
1
2
1
3
2
<0.0065Ω 80A
(1)
<0.0065Ω 80A
(1)
<0.0065Ω 60A
TO-220FP
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
3
1
3
12
DPAK
IPAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB80NF55-06T4
STB80NF55-06-1
STP80NF55-06
STP80NF55-06FP
记号
B80NF55-06
B80NF55-06-1
P80NF55-06
P80NF55-06FP
包
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2006年10月
转8
1/17
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17
目录
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 - STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 - STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM(3)
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
的TO- 220 / D / IPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
80
80
320
300
2
7
1.3
--
-55至175
2500
55
± 20
60
(2)
42
(2)
240
(2)
45
0.30
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
V
°C
单位
dv / dt的
(4)
峰值二极管恢复电压斜率
E
的AS （5）
V
ISO
T
J
T
英镑
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.限制由包
2.有限只能由最高允许温度
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4. ) I
SD
≤
80A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
5.
起始物为
J
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 45V
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
价值
参数
的TO- 220 / D / IPAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.5
62.5
300
TO-220FP
3.33
° C / W
° C / W
°C
单位
3/17
电气特性
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 - STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
3
分钟。
55
1
10
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
0.005 0.0065
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 40A
分钟。
典型值。
150
4400
1020
350
142
29
60.5
189
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 44V ，我
D
= 80A
V
GS
=10V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（见
图15）
分钟。
典型值。
27
155
125
65
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/17
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 - STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
=0
I
SD
=80A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 35V ，T
J
= 150°C
100
0.32
6.5
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/17
STB80NF55-06
N - CHANNEL 55V - 0.005Ω - 80A TO- 262 / TO- 263
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STB80NF55-06
s
s
s
s
V
DSS
55 V
R
DS （ ON）
< 0.0065
I
D
80 A
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.005
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
通孔I2PAK （ TO- 262 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ） \\
表面贴装D2PAK （ TO- 263 ）
电力包装管（没有后缀）
或在磁带和放大器; REEL （后缀“ T4 ” ）
3
12
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
“条形基础的过程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
并不太重要，因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
I
2
PAK
TO-262
（后缀“-1” ）
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
价值
55
55
±
20
80
57
320
210
1.43
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
80 A ， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/7
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1999年10月
STB80NF55-06
N - CHANNEL 55V - 0.005Ω - 80A TO- 262 / TO- 263
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STB80NF55-06
s
s
s
s
V
DSS
55 V
R
DS （ ON）
< 0.0065
I
D
80 A
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.005
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
通孔I2PAK （ TO- 262 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ） \\
表面贴装D2PAK （ TO- 263 ）
电力包装管（没有后缀）
或在磁带和放大器; REEL （后缀“ T4 ” ）
3
12
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
“条形基础的过程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
并不太重要，因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
I
2
PAK
TO-262
（后缀“-1” ）
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
价值
55
55
±
20
80
57
320
210
1.43
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
80 A ， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/7
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1999年10月
STB80NF55-06
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 44V ，我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
40
240
190
38
66
256
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
参数
关断延迟时间
测试康迪特离子
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
260
马克斯。
单位
ns
t
f
t
D（关闭）
T
R（ Voff时）
t
f
t
c
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
下降时间
关闭电压上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
测试条件
分钟。
VCLAMP = 44V ，我
D
=80A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
75
70
185
240
110
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
80
0.24
6
ns
ns
ns
ns
ns
单位
A
A
V
ns
C
A
源漏二极管
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
QQ：2881677436 复制
