STB80NF03L-04
N沟道30V - 0.0035
- 80A TO- 262 / TO-263
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
牛逼YPE
STB80NF03L-04
s
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
< 0.004
I
D
80 A
s
典型
DS （ ON）
= 0.0035
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低阈值DRIVE
通孔I2PAK （ TO- 262 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面贴装D2PAK （ TO- 263 ）
电力包装管（没有后缀）
或在磁带和放大器; REEL （后缀“ T4 ” ）
3
12
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此
a
卓越
制造业
重现。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
T
s TG
T
j
2000年3月
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
I
2
PAK
TO-262
（后缀“-1” ）
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
价值
30
30
±
20
80
56
320
210
1.43
3.5
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
80 A ， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/7
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
N沟道30V - 0.0035
- 80A
2
PAK / I
2
PAK/TO-220
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB80NF03L-04/-1
STP80NF03L-04
s
s
s
s
STP80NF03L-04
STB80NF03L -04 STB80NF03L - 04-1
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
<0.004
<0.004
I
D
80 A
80 A
3
1
典型
DS
（上） = 0.0035Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低阈值DRIVE
3
12
D
2
PAK
TO-263
I
2
PAK
TO-262
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻，坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
3
1
2
TO-220
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
订购信息
销售类型
STB80NF03L-04
STB80NF03L-04T4
STP80NF03L-04
STB80NF03L-04-1
记号
80NF03L -04 @
80NF03L -04 @
80NF03L -04 @
80NF03L -04 @
包
D
2
PAK
D
2
PAK
TO-220
I
2
PAK
包装
管
磁带&卷轴
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
V
DS
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
V
DGR
V
GS
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
I
D
(**)
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
I
D
(**)
I
DM
()
漏电流（脉冲）
P
合计
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
(1)
峰值二极管恢复电压斜率
dv / dt的
E
AS （2）
单脉冲雪崩能量
T
英镑
储存温度
T
j
马克斯。工作结温
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ ** ）电流限制通过包装
价值
30
30
± 20
80
80
320
300
2
2
2.3
-60至175
175
(1) I
SD
≤80A,
的di / dt
≤240A/s,
V
DD
≤
24V ，T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 20V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
°C
2003年2月
.
1/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
I
GSS
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 250 A
I
D
= 40 A
I
D
= 40 A
分钟。
1
0.0035
0.004
0.004
0.0055
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS =
15 V
I
D
= 15 A
分钟。
典型值。
50
5500
1670
290
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
2/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 40 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 24V I
D
= 80 A V
GS
=4.5V
分钟。
典型值。
30
270
85
23
40
110
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
I
D
= 40 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
I
D
= 80 A
V
钳
= 24 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（感性负载，图5）
分钟。
典型值。
110
95
125
75
125
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM （ ）
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A
V
GS
= 0
75
0.15
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 80 A
V
DD
= 20 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度的关系。
.
.
5/11
N沟道30V - 0.0035
- 80A
2
PAK / I
2
PAK/TO-220
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB80NF03L-04/-1
STP80NF03L-04
s
s
s
s
STP80NF03L-04
STB80NF03L -04 STB80NF03L - 04-1
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
<0.004
<0.004
I
D
80 A
80 A
3
1
典型
DS
（上） = 0.0035Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低阈值DRIVE
3
12
D
2
PAK
TO-263
I
2
PAK
TO-262
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻，坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
3
1
2
TO-220
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
订购信息
销售类型
STB80NF03L-04
STB80NF03L-04T4
STP80NF03L-04
STB80NF03L-04-1
记号
80NF03L -04 @
80NF03L -04 @
80NF03L -04 @
80NF03L -04 @
包
D
2
PAK
D
2
PAK
TO-220
I
2
PAK
包装
管
磁带&卷轴
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
V
DS
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
V
DGR
V
GS
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
I
D
(**)
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
I
D
(**)
I
DM
()
漏电流（脉冲）
P
合计
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
(1)
峰值二极管恢复电压斜率
dv / dt的
E
AS （2）
单脉冲雪崩能量
T
英镑
储存温度
T
j
马克斯。工作结温
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ ** ）电流限制通过包装
价值
30
30
± 20
80
80
320
300
2
2
2.3
-60至175
175
(1) I
SD
≤80A,
的di / dt
≤240A/s,
V
DD
≤
24V ，T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 20V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
°C
2003年2月
.
1/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
I
GSS
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 250 A
I
D
= 40 A
I
D
= 40 A
分钟。
1
0.0035
0.004
0.004
0.0055
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS =
15 V
I
D
= 15 A
分钟。
典型值。
50
5500
1670
290
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
2/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 40 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 24V I
D
= 80 A V
GS
=4.5V
分钟。
典型值。
30
270
85
23
40
110
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
I
D
= 40 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
I
D
= 80 A
V
钳
= 24 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（感性负载，图5）
分钟。
典型值。
110
95
125
75
125
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM （ ）
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A
V
GS
= 0
75
0.15
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 80 A
V
DD
= 20 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/11
STB80NF03L-04/-1/STP80NF03L-04
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度的关系。
.
.
5/11
QQ：2880707522 复制
