STB75NH02L
N沟道24V - 0.0062Ω - 60A - D
2
PAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB75NH02L
V
DSS
24V
R
DS （ ON）
<0.008
I
D
60A
(1)
3
1
1.限制由包
■
■
■
■
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
D
2
PAK
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这适用于最苛刻的DC-DC
转换器应用中的高效率，是
来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB75NH02LT4
记号
B75NH02L
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2006年7月
REV 3
1/13
www.st.com
13
目录
STB75NH02L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STB75NH02L
电气额定值
1
表1中。
电气额定值
绝对最大额定值
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
E
的AS （5）
T
J
T
英镑
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
30
24
± 20
60
53
240
80
0.53
360
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
符号
V
尖峰（1）
V
DS
V
GS
I
D (2)
I
D
I
DM （3）
P
TOT （4）
1. Garanted当外部RG = 4.7Ω和T
f
＆ LT ;吨
FMAX
2.价值限于通过引线接合
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.该值是根据R级
thJC
5.起始物为
J
= 25°C ，ID = 30A ， VDD = 15V
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
1.88
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
3/13
电气特性
STB75NH02L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 20 V,
V
DS
= 20 V ，TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 30 A
1
1.8
0.0062
0.008
0.008
0.014
分钟。
24
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 18A
分钟。
典型值。
27
2050
545
70
17
7.7
3.5
1.1
22
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 15V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
V
DD
= 10V ，我
D
= 60 A
V
GS
=5V
图14
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 10 V，I
D
=30 A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
图15
V
DD
= 10 V，I
D
=30A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
图15
分钟。
典型值。
12
200
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
18
25
ns
ns
4/13
STB75NH02L
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A，V
GS
= 0
I
SD
= 60 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
-15 V，T
J
=150°C
36
35
3.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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