STB70NF03L
STP70NF03L - STB70NF03L - 1
N沟道30V - 0.0075Ω - 70A - D
2
PAK - 我
2
PAK - TO- 220
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB70NF03L
STP70NF03L
STB70NF03L-1
■
■
V
DSS
30V
30V
30V
R
DS （ ON）
< 0.0095Ω
< 0.0095Ω
< 0.0095Ω
I
D
70A
70A
70A
1
3
3
12
DPAK
I
2
PAK
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
2
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
STMicroelectronis独特的第三genaration
"Single特征大小 "条为基础的过程。该
导致晶体管显示出最佳的权衡
之间的导通电阻和栅极电荷。当
在降压稳压器用于高端和低端，它
给出了在两个方面的最佳性能
传导和开关损耗。这是
对于主板在那里快速极其重要
开关和高效率是至
重要性。
TO-220
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB70NF03L
STP70NF03L
STB70NF03L-1
记号
B70NF03L
P70NF03L
B70NF03L
包
DPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年7月
转10
1/15
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15
目录
STB70NF03L - STP70NF03L - STB70NF03L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STB70NF03L - STP70NF03L - STB70NF03L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS （3）
T
英镑
T
J
2.
3.
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
工作结温
°C
价值
30
30
± 18
70
50
280
100
0.67
5.5
500
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
1.电流限制由包
I
SD
≤
70A ， di / dt的
≤
350A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
T
JMAX
起始物为
J
= 25
o
C，我
D
= 35A ，V
DD
= 25V
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
1.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
3/15
电气特性
STB70NF03L - STP70NF03L - STB70NF03L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 18V
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 250A
I
D
= 35A
I
D
= 18A
1
0.0075 0.0095
0.0135 0.018
民
30
1
10
典型值
最大
单位
V
A
A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
±100
nA
V
W
W
表4 。
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15V
I
D
= 35A
民
典型值
25
1440
560
135
最大
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
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STB70NF03L - STP70NF03L - STB70NF03L - 1
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V
R
G
= 4.7
图16 。
I
D
= 35A
V
GS
= 5V
民
典型值
22
165
22.5
9
12
21
25
30
最大
单位
ns
ns
nC
nC
nC
ns
ns
V
DD
= 15V我
D
= 70A
V
GS
= 5V
V
DD
= 15V
R
G
= 4.7,
图16 。
I
D
= 35A
V
GS
= 5V
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 70A
V
GS
= 0
42
52
2.5
测试条件
民
典型值
最大
70
280
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
(1)
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 70A的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 150°C
反向恢复电荷V
DD
= 20V
反向恢复电流
图15 。
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
5/15
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