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STB70NF02L
N沟道20V - 0.006
- 70A
2
PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
初步数据
牛逼YPE
STB70NF02L
s
s
s
s
s
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
< 0.009
I
D
70 A
典型
DS （ ON）
= 0.006
典型的Q
g
= 36 NC @ 10V
最优
DS （ ON）
X Q
g
权衡
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第三
代意法半导体独有的“单
特征尺寸
“条形基础的过程。该resul-
婷晶体管显示之间的最佳平衡点
导通电阻和栅极电荷。当用作
高，低侧降压稳压器，它给人的
在两个传导方面的最佳性能和
开关损耗。这是极其重要的
其中，主板快速开关和高艾菲
效率是非常重要的。
应用
s
专门设计和
优化高效率的CPU
CORE DC / DC转换器
D
2
PAK
TO-263
加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带& REEL
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
20
20
±
20
70
50
280
100
0.67
-65 175
175
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
20/01/2000
1/6
STB70NF02L
热数据
R
THJ -case
R
THJ -amb
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
最大的铅温度F或焊接用途
1.5
62.5
300
o
o
C / W
C / W
o
C
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
20
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
=125 C
o
ON （
)
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 35 A
I
D
= 18 A
70
分钟。
1
0.006
0.011
典型值。
马克斯。
2.5
0.009
0.015
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
(
)
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=35 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
40
1500
900
200
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/6
STB70NF02L
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延时T IME
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 10 V
I
D
= 35 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 16 V I
D
= 46 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
25
480
36
5
10
45
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
（六中）D
t
f
参数
关断延时T IME
秋季牛逼IME
测试刀豆ditions
V
DD
= 10 V
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（电阻性负载，参见图3）
分钟。
典型值。
30
110
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
()
V
SD
(
)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
=70 A
V
GS
= 0
60
100
2
I
SD
= 70 A
的di / dt = 100 A /
s
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 15 V
（见测试电路，图5）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
70
280
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
(
）脉冲：脉冲宽度= 300
S，占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
3/6
STB70NF02L
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路，用于
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/6
STB70NF02L
TO- 263 （D
2
PAK ）机械数据
mm
分钟。
A
A1
B
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
4.4
2.49
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
10
4.88
15
1.27
1.4
典型值。
马克斯。
4.6
2.69
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
10.4
5.28
15.85
1.4
1.75
分钟。
0.173
0.098
0.027
0.044
0.017
0.047
0.352
0.393
0.192
0.590
0.050
0.055
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.106
0.036
0.067
0.023
0.053
0.368
0.409
0.208
0.624
0.055
0.068
DIM 。
D
A
C
A2
细节'A'
A1
B2
B
G
C2
详细信息“ A”
E
L2
L
L3
P011P6/E
5/6
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推荐型号
SSR1645-59
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S-1000C18-N4T1G
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S75PL256NCGJAWGZ2
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