STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
N沟道600 V - 1
- 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
特点
TYPE
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP
STP6NK60Z
■
■
■
V
DSS
600 V
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
6A
6A
6A
6A
P
W
110 W
110 W
30 W
110 W
TO-220
1
2
3
3
1
DPAK
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
IPAK
3
12
3
1
2
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
表1中。
设备简介
记号
B6NK60Z
B6NK60Z
P6NK60ZFP
P6NK60Z
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
管
订购代码
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP
STP6NK60Z
2007年11月
转8
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17
目录
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
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STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
6
3.8
24
110
0.88
3500
4.5
--
-55到150
2500
600
± 30
6
(1)
3.8
(1)
24
(1)
30
0.24
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
V
ESD （G -S ）
摹-S ESD （ HBM C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
6 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
1.14
62.5
300
4.2
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结磁悬浮最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
6
210
单位
A
mJ
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电气特性
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
3
3.75
1
分钟。
600
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
(2)
EQ 。
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5
905
115
25
56
33
6
17
46
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 480 V，I
D
= 6 A,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
pF
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图17）
分钟。
典型值。
14
14
47
19
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150 °C
（参见图19）
445
2.7
12
测试条件
民
典型值。
最大
6
24
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表9 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
鸡蛋±1 MA（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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