【N沟道24V - 0.0085- 60A DPAK的STripFET III功率MOSFETTYPE】,IC型号STB60NH02L,STB60NH02L PDF资料,STB60NH02L经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道24V - 0.0085

- 60A DPAK

的STripFET III功率MOSFET

TYPE

STB60NH02L

DSS

24 V

DS （ ON）

< 0.0105

60 A

典型

（上） = 0.0085

@ 10 V

典型

（上） = 0.012

@ 5 V

DS （ ON）

*的Qg行业的标杆

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

低阈值设备

表面安装

PAK （ TO-263 ）

电力包装管（没有后缀）或

在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）

PAK

TO-263

（后缀“ T4 ” ）

描述

该STB60NH02L采用了最新的先进设计

意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是

合适的光纤收发器的最苛刻的DC-DC转换器

应用程序，其中高效率来实现。

内部原理图

应用

专门设计和优化

高效率DC / DC CONVERTES

订购信息

销售类型

STB60NH02LT4

记号

B60NH02L

包

TO-263

包装

磁带&卷轴

绝对最大额定值

符号

spike(1)

DGR

DM(2)

合计

的AS （3）

英镑

参数

漏源电压额定值

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

± 20

240

0.47

280

-55至175

单位

W / ℃，

°C

2003年9月

1/11

STB60NH02L

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

2.14

62.5

300

° C / W

°C

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 25 mA时， V

= 0

= 20 V

= ± 20V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

= 125°C

(4)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 5 V

= 250 A

= 30 A

= 15 A

分钟。

典型值。

1.8

0.0085

0.012

马克斯。

2.5

0.0105

0.020

单位

动态

符号

飞秒（4）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

门输入电阻

测试条件

= 15 V

= 25 A

分钟。

典型值。

1400

400

马克斯。

单位

= 15V F = 1MHz的V

= 0

F = 1 MHz的门DC偏置= 0

测试信号电平= 20 mV的

漏极开路

2/11

STB60NH02L

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

OSS （ 5 ）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输出充电

测试条件

= 30 A

= 10 V

= 4.7

= 10 V

（阻性负载，图3 ）

= 10 V I

= 60 A V

= 10 V

分钟。

典型值。

130

3.4

9.4

马克斯。

单位

= 16 V

= 0 V

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 30 A

= 10 V

= 4.7,

= 10 V

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

21.6

单位

源漏二极管

符号

SDM

SD （4）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 30 A

= 0

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

240

1.3

单位

的di / dt = 100A / μs的

= 60 A

= 18 V

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

(1)

Garanted当外部RG = 4.7

和T

＆ LT ;吨

FMAX

(2)

脉冲宽度有限的安全工作区

(

）起始物为

= 25

C，我

= 25A ，V

= 15V

(4)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

(5)

OSS =

OSS

* V

中，

OSS =

GD +

DS 。

见附录A

安全工作区

热阻抗

3/11

STB60NH02L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/11

STB60NH02L

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度

5/11

STB60NH02L

N沟道24V - 0.0085

- 60A DPAK

的STripFET III功率MOSFET

TYPE

STB60NH02L

■

DSS

24 V

DS （ ON）

< 0.0105

60 A

典型

（上） = 0.0085

@ 10 V

典型

（上） = 0.012

@ 5 V

DS （ ON）

*的Qg行业的标杆

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

低阈值设备

表面安装

PAK （ TO-263 ）

电力包装管（没有后缀）或

在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）

PAK

TO-263

（后缀“ T4 ” ）

描述

该STB60NH02L采用了最新的先进设计

意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是

合适的光纤收发器的最苛刻的DC-DC转换器

应用程序，其中高效率来实现。

内部原理图

应用

■

专门设计和优化

高效率DC / DC CONVERTES

订购信息

销售类型

STB60NH02LT4

记号

B60NH02L

包

TO-263

包装

磁带&卷轴

绝对最大额定值

符号

spike(1)

DGR

DM(2)

合计

的AS （3）

英镑

2004年5月

参数

漏源电压额定值

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k

)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

± 20

240

0.47

280

-55至175

单位

W / ℃，

°C

1/11

STB60NH02L

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

2.14

62.5

300

° C / W

°C

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 25 mA时， V

= 0

= 20 V

= ± 20V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

= 125°C

(4)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 5 V

= 250 A

= 30 A

= 15 A

分钟。

典型值。

1.8

0.0085

0.012

马克斯。

2.5

0.0105

0.020

单位

动态

符号

飞秒（4）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

门输入电阻

测试条件

= 15 V

= 25 A

分钟。

典型值。

1400

400

马克斯。

单位

= 15V F = 1MHz的V

= 0

F = 1 MHz的门DC偏置= 0

测试信号电平= 20 mV的

漏极开路

2/11

STB60NH02L

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

oss(5)

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输出充电

测试条件

= 10 V

= 30 A

= 10 V

= 4.7

（阻性负载，图3 ）

= 10 V I

= 60 A V

= 10 V

分钟。

典型值。

130

3.4

9.4

马克斯。

单位

= 16 V

= 0 V

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 10 V

= 30 A

= 10 V

= 4.7

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

21.6

单位

源漏二极管

符号

SDM

SD （4）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 30 A

= 0

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

240

1.3

单位

= 60 A

的di / dt = 100A / μs的

= 150°C

= 18 V

（见测试电路，图5 ）

(1)

Garanted当外部RG = 4.7

和T

＆ LT ;吨

FMAX

(2)

脉冲宽度有限的安全工作区

(

）起始物为

= 25

C，我

= 25A ，V

= 15V

(4)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

(5)

OSS =

OSS

中，

OSS =

GD +

DS 。

见附录A

安全工作区

热阻抗

3/11

STB60NH02L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/11

STB60NH02L

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度

5/11