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STB60NF06
STB60NF06-1
N沟道60V - 0.014Ω - 60A - D
2
PAK / I
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB60NF06-1
STB60NF06
V
DSS
60V
60V
R
DS ( ON)
<0.016
<0.016
I
D
60A
60
3
1
3
12
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用的表征
D
2
PAK
I
2
PAK
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此,它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC -DC转换器,电信
和计算机应用。它也被用于
低栅极电荷驱动的应用程序
要求。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STB60NF06T4
STB60NF06-1
记号
B60NF06
B60NF06
D
2
PAK
I
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2006年6月
REV 3
1/14
www.st.com
14
目录
STB60NF06 - STB60NF06-1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STB60NF06 - STB60NF06-1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
T
英镑
T
j
2.
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
-65 175
马克斯。工作结温
°C
价值
60
60
± 20
60
42
240
110
0.73
4
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
I
SD
60A , di / dt的
400A / μs的,V
DD
24V , TJ
T
JMAX
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.36
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 30 V)
最大值
30
360
单位
A
mJ
3/14
电气特性
STB60NF06 - STB60NF06-1
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
2
0.015
分钟。
60
1
10
±100
4
0.016
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
表5 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 30A
分钟。
典型值。
20
1810
360
125
16
108
43
20
49
18
14
66
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
V
DD
= 30V ,我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
(见
图12)
V
DD
= 48V ,我
D
= 60A,
V
GS
= 10V ,R
G
= 4.7
(见
图13)
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
4/14
STB60NF06 - STB60NF06-1
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
I
SD
= 60A ,V
GS
= 0
73
182
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 60A ,的di / dt = 100A / μs的,
反向恢复电荷V
DD
= 25V ,T
j
= 150°C
反向恢复电流(见
图14)
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
5/14
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