STB60NE06-16
N - 沟道增强型
“单一特征尺寸 ” POWER MOSFET
TYPE
STB60NE06-1
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
< 0.016
I
D
60 A
s
典型
DS ( ON)
= 0.013
EXCEPTIONAL的dV / dt CAPABILTY
100%的雪崩测试
低栅电荷100
o
C
DV dt能力高/
面向应用
表征
通孔版联系
销售办事处
3
1
D
2
PAK
TO-263
(后缀“ T4 ” )
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
的dv / dt (
1
)
T
英镑
T
j
峰值二极管恢复电压斜率
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
o
o
内部原理图
价值
60
60
±
20
60
42
240
150
1
6
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
60 A , di / dt的
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
J
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1998年1月
1/9