STB55NF06
N沟道60V - 0.018Ω - 50A D2PAK
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STB55NF06
s
s
s
V
DSS
60V
R
DS （ ON）
<0.022
I
D
50A
s
典型
DS
（上） = 0.018Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
面向应用
表征
通孔版联系
销售办事处
3
1
D
2
PAK
(TO-263)
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
”
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示了极高的堆积密度
低导通电阻，坚固的雪崩characteris-
抽动和不太重要的调整措施，因此一重
可标记制造重复性。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
±
20
50
36
200
95
0.63
200
-65 175
175
（ 1 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 25A ，V
DD
=30V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
(
q
）脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
2001年3月
1/9
STB55NF06
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30V ，我
D
= 25A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 50A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
16
8
44.5
10.5
17.5
60
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 30V ，我
D
= 50A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
VCLAMP = 48V ，我
D
=50A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载）
分钟。
典型值。
36
15
43
20
34
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 50A ，V
GS
= 0
I
SD
= 50A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
75
170
4.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
STB55NF06 - STB55NF06-1
STP55NF06 - STP55NF06FP
N沟道60V - 0.015Ω - 50A - D
2
PAK / I
2
PAK/TO-220/TO-220FP
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB55NF06
STB55NF06-1
STP55NF06
STP55NF06FP
V
DSS
60V
60V
60V
60V
R
DS （ ON）
<0.018
<0.018
<0.018
<0.018
I
D
50A
3
3
1
50A
50A
50A
(1)
TO-220
1
2
D
2
PAK
1.参考SOA上的最大允许电流值
FP型由于Rth的价值
■
■
100％的雪崩测试
DV dt能力EXCEPTIONAL /
1
2
3
3
12
TO-220FP
I
2
PAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB55NF06T4
STB55NF06-1
STP55NF06FP
STP55NF06
记号
B55NF06
B55NF06
P55NF06FP
P55NF06
包
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2006年6月
转10
1/18
www.st.com
18
目录
STB55NF06 - STB55NF06-1 - STP55NF06 - STP55NF06FP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STB55NF06 - STB55NF06-1 - STP55NF06 - STP55NF06FP
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220FP
价值
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
E
的AS （3）
dv / dt的
(4)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
-
50
35
200
110
0.73
60
± 20
50
(1)
35
(1)
200
(1)
30
0.20
340
7
2500
-55至175
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
V / ns的
V
°C
马克斯。工作结温
1.参考SOA对FP-类型的最大允许电流值，由于Rth的价值
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.启动TJ = 25 ° C，V
DD
= 30V ，我
D
=25A
4. I
SD
≤
50A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
表2中。
热数据
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220FP
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
(1)
1.36
62.5
300
5
° C / W
° C / W
°C
1.持续10秒。 1.6毫米从案例
3/18
电气特性
STB55NF06 - STB55NF06-1 - STP55NF06 - STP55NF06FP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 27.5A
2
3
0.015
分钟。
60
1
10
±100
4
0.018
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 27.5A
分钟。
典型值。
18
1300
300
105
20
50
36
15
44.5
10.5
17.5
60
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 30V ，我
D
= 27.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图14）
V
DD
= 48V ，我
D
= 55A,
V
GS
= 10V
（见
图15）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/18
STB55NF06 - STB55NF06-1 - STP55NF06 - STP55NF06FP
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 50A ，V
GS
= 0
75
170
4.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 50A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图16）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/18
QQ：2881677436 复制
