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STP55NF06L - STP55NF06LFP
STB55NF06L - STB55NF06L - 1
N沟道60V - 0.014Ω - 55A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP55NF06L
STP55NF06LFP
STB55NF06L
STB55NF06L-1
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
60 V
60 V
R
DS ( ON)
<0.018
<0.018
<0.018
<0.018
I
D
55
55
55
55
A
A
A
A
3
1
2
1
3
2
典型
DS
(上) = 0.014Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
面向应用
表征
TO-220
TO-220FP
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示了极高的堆积密度
低导通电阻,坚固的雪崩characteris-
抽动和不太重要的调整措施,因此一重
可标记制造重复性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
电机控制,音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
绝对最大额定值
符号
参数
1
D
2
PAK
3
12
I
2
PAK
内部原理图
价值
STP55NF06L
STB55NF06L/-1
STP55NF06LFP
60
60
± 16
55
39
220
95
0.63
20
300
-
- 55 175
2500
30
21
120
30
0.2
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
的dV / dt (2)
E
AS
(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
2002年8月
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
V
°C
(
q
)脉冲宽度有限的安全工作区
( 1 )起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 27.5A ,V
DD
=30V
(2) I
SD
55 A, di / dt的
200A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX 。
1/12
STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
热数据
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.58
62.5
300
TO-220FP
5.0
° C / W
° C / W
°C
电气特性
( TCASE = 25°C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 16 V
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON(1 )
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 5 V,I
D
= 27.5 A
V
GS
= 10V ,我
D
= 27.5 A
分钟。
1
典型值。
1.7
0.016
0.014
0.020
0.018
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 27.5 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
30
1700
300
105
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/12
STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gs
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30 V,I
D
= 27.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 48 V,I
D
= 55 A,
V
GS
= 4.5V
分钟。
典型值。
20
100
27
7
10
37
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30 V,I
D
= 27.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
40
20
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 55 A,V
GS
= 0
I
SD
= 55A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 30 V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
80
200
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
55
220
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
ThermalImpedanceforTO-220/D2PAK/I2PAK
3/12
STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
4/12
STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/12
STP55NF06L
STB55NF06L - STB55NF06L - 1
N沟道60V - 0.014Ω - 55A TO- 220 / D
2
PAK / I
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP55NF06L
STB55NF06L
STB55NF06L-1
V
DSS
60V
60V
60V
R
DS ( ON)
<0.018
<0.018
<0.018
I
D
55A
55A
55A
1
3
3
12
D
2
PAK
I
2
PAK
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
3
面向应用的表征
1
2
TO-220
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STP55NF06L
STB55NF06LT4
STB55NF06L-1
记号
P55NF06L
B55NF06L
B55NF06L
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2006年11月
转4
1/15
www.st.com
15
目录
STB55NF06L - STB55NF06L - 1 - STP55NF06L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STB55NF06L - STB55NF06L - 1 - STP55NF06L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
AS(3)
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
60
± 16
55
39
220
95
0.63
20
300
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
I
SD
55A , di / dt的
200A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX
.
3.起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 27.5A ,V
DD
= 30V
.
表2中。
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.58
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
3/15
电气特性
STB55NF06L - STB55NF06L - 1 - STP55NF06L
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 5V ,我
D
= 27.5A
V
GS
= 10V ,我
D
= 27.5A
1
1.7
0.016
0.014
0.020
0.018
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 27.5A
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
=0
分钟。
典型值。
30
1700
300
105
27
7
10
37
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 48V ,我
D
= 55A
V
GS
=4.5V
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
4/15
STB55NF06L - STB55NF06L - 1 - STP55NF06L
电气特性
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 30 V,I
D
=27.5A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
(参见图12)
V
DD
= 30V ,我
D
=27.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
(参见图12)
分钟。
典型值。
20
100
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
40
20
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 55A ,V
GS
=0
I
SD
= 55A,
的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 30V , TJ = 150℃
(参见图14)
80
200
5
测试条件
典型值。
最大
12
48
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/15
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STB55NF06L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ:936045363 复制

电话:13424184668
联系人:肖佳欣
地址:广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
STB55NF06L
ST
24+
8000000
DIP
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
STB55NF06L
ST
18+
15600
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STB55NF06L
ST
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
STB55NF06L
VBSEMI/台湾微碧
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8640
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
STB55NF06L
VB
25+23+
35500
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联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
STB55NF06L
VBsemi
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QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
STB55NF06L
VBsemi
21+22+
27000
TO263
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
STB55NF06L
VBSEMI/台湾微碧
24+
5000
TO-263
100%原装正品,可长期订货
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
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STB55NF06L
ST
24+
21000
TO-263
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
STB55NF06L
ST/意法
22+
89671
TO-263
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