【STB55NF03LN沟道30V - 0.01- 55A 2PAK的STripFET 功率MOSFE】,IC型号STB55NF03L,STB55NF03L PDF资料,STB55NF03L经销商,ic,电子元器件-51电子网

STB55NF03L

N沟道30V - 0.01

- 55A

PAK

的STripFET 功率MOSFET

牛逼YPE

STB55NF03L

DSS

30 V

DS （ ON）

< 0.013

55 A

典型

DS （ ON）

= 0.01

OPTIMIMIZED高开关

操作

低栅电荷

逻辑电平栅极驱动器

描述

这是功率MOSFET的最新发展

意法半导体独有的“单一特征

SIZE

“条形基础的过程。由此产生的跃迁

STOR显示了极高的堆积密度低

导通电阻，崎岖雪崩特征

并不太重要，因此调整步骤一重

可标记制造重复性。

应用

低压DC -DC转换器

大电流，高开关速度

高效率的开关电路

PAK

TO-263

加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带& REEL

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

s TG

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

摹吃 - 源极电压

漏电流（连续）在T

= 25

漏电流（连续）在T

= 100 C

漏电流（脉冲）

牛逼otal耗散在T

= 25

降额因子

储存温度

马克斯。工作结温

价值

220

0.53

-65 175

175

取消它

W /

（）脉冲宽度有限的安全工作区

10/01/2000

1/8

STB55NF03L

热数据

THJ -case

THJ -amb

热阻结案件

最大

热阻结到环境

最大

最大的铅温度F或焊接用途

1.875

62.5

300

C / W

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

Symbo升

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试刀豆ditions

= 250

= 0

分钟。

100

典型值。

马克斯。

单位

=最大额定值

零栅极电压

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值

门体漏

电流（V

= 0)

20 V

=125 C

ON （

)

Symbo升

GS （ TH）

DS （ ON）

D（ 0：N ）

参数

栅极阈值电压V

= V

静态漏源

阻力

在国家漏极电流

= 10V

= 4.5V

测试刀豆ditions

= 250

= 27.5 A

分钟。

0.01

0.015

典型值。

马克斯。

2.5

0.013

0.021

单位

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

= 10 V

动态

Symbo升

F小号

(

)

国际空间站

OS s

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试刀豆ditions

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

= 25 V

F = 1 MHz的

=27.5 A

= 0

分钟。

典型值。

1450

390

150

马克斯。

单位

2/8

STB55NF03L

电气特性

（续）

接通

Symbo升

D（上）

参数

导通延时T IME

上升时间

总摹吃费

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试刀豆ditions

= 15 V

= 27.5 A

= 4.7

= 4.5 V

（电阻性负载，参见图3）

= 24 V I

= 55 A V

= 4.5 V

分钟。

典型值。

280

马克斯。

单位

关闭

Symbo升

（六中）D

参数

关断延时T IME

秋季牛逼IME

测试刀豆ditions

= 15 V

= 27.5 A

= 4.5 V

= 4.7

（电阻性负载，参见图3）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

Symbo升

SDM

(

)

(

)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 55 A

= 0

2.3

= 55 A

的di / dt = 100 A / μs的

= 150

= 15 V

（见测试电路，图5）

测试刀豆ditions

分钟。

典型值。

马克斯。

220

1.3

单位

(

）脉冲：脉冲宽度= 300

S，占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

安全工作区

热阻抗

3/8

STB55NF03L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/8

STB55NF03L

归栅极阈值电压VS

温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

5/8

STP55NF03L

STB55NF03L STB55NF03L - 1

N沟道30V - 0.01

- 55A TO- 220 / D

PAK / I

PAK

的STripFET II功率MOSFET

TYPE

STP55NF03L

STB55NF03L

STB55NF03L-1

DSS

30 V

DS （ ON）

<0.013

55 A

典型

（上） = 0.01

优化高开关

操作

低栅电荷

逻辑电平栅极驱动器

PAK

TO-263

PAK

TO-262

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特"Single特征大小 "

条形基础的过程。由此产生的晶体管

显示了极高的堆积密度低导通

性，坚固耐用的雪崩特性和

不太重要的调整，因此步骤remark-

能够制造重复性。

应用

低压DC -DC转换器

大电流，高开关速度

高效率的开关电路

TO-220

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

英镑

2002年3月

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

储存温度

马克斯。工作结温

价值

± 16

220

0.53

-60至175

175

单位

W / ℃，

°C

1/11

()

脉冲宽度有限的安全工作区。

STP55NF03L STB55NF03L / -1

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

典型值

1.875

62.5

300

° C / W

°C

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

= ± 16V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

GSS

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 4.5 V

= 250 A

= 27.5 A

分钟。

0.01

0.013

0.020

典型值。

马克斯。

单位

动态

符号

飞秒（*）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值，

= 27.5 A

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

分钟。

典型值。

1265

435

115

马克斯。

单位

2/11

STP55NF03L STB55NF03L / -1

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 27.5 A

= 15 V

= 4.7

= 4.5 V

（阻性负载，图3 ）

= 24 V I

= 55 A V

= 4.5V

分钟。

典型值。

400

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 27.5 A

= 15V

= 4.7,

= 4.5 V

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM （

)

SD （*）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 55 A

= 0

160

4.5

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

220

1.3

单位

的di / dt = 100A / μs的

= 55 A

= 30 V

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

安全工作区

热阻抗

3/11

STP55NF03L STB55NF03L / -1

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/11

STP55NF03L STB55NF03L / -1

归栅极阈值电压与温度

归

在电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度的关系。

5/11