STB50NE08
N - 沟道增强型
“单一特征尺寸 ” POWER MOSFET
TYPE
ST B50NE08
s
s
s
s
s
V
DSS
80 V
R
DS （ ON）
<0.024
I
D
50 A
s
典型
DS （ ON）
= 0.020
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低栅电荷AT 100
o
C
面向应用
表征
通孔版联系
销售办事处
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
因此，问题不大的调整步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额F演员
的dv / dt （
1
）峰值二极管恢复电压斜率
T
英镑
T
j
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
价值
80
80
±
20
50
35
200
150
1
6
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
50 A ， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1998年3月
1/8
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