STP45NF06L
STB45NF06L
N沟道60V - 0.022Ω - 38A TO- 220 / D
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP45NF06L
STB45NF06L
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS ( ON)
< 0.028Ω
< 0.028Ω
I
D
38 A
38 A
典型
DS
(上) = 0.022Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
逻辑电平栅极驱动器
3
1
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
”
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示了极高的堆积密度
低导通电阻,坚固的雪崩characteris-
抽动和不太重要的调整措施,因此一重
可标记制造重复性。
D
2
PAK
TO-220
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制,音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的( 1 )
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
±16
38
26
152
80
0.53
7
-55至175
(1) I
SD
≤38A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
(
q
)脉冲宽度有限的安全工作区
2002年9月
1/10
STP45NF06L - STB45NF06L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30V ,我
D
= 19A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 48V ,我
D
= 38A,
V
GS
= 5V
分钟。
典型值。
30
105
23
7
10
31
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
t
D(关闭)
t
f
t
c
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30V ,我
D
= 19A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
VCLAMP = 48V ,我
D
=38A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
65
25
马克斯。
单位
ns
ns
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
50
55
85
ns
ns
ns
马克斯。
38
152
单位
A
A
V
ns
nC
A
源漏二极管
测试条件
分钟。
典型值。
I
SD
= 38A ,V
GS
= 0
I
SD
= 38A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 100V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
70
110
4
1.5
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/10