STP40NF20 - STF40NF20
STB40NF20 - STW40NF20
N沟道200V - 0.038Ω -40A-
2
PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STB40NF20
STP40NF20
STF40NF20
STW40NF20
■
■
■
■
■
V
DSS
200V
200V
200V
200V
R
DS （ ON）
<0.045
<0.045
<0.045
<0.045
I
D
40A
40A
40A
40A
P
W
160W
160W
40W
160W
TO-220
1
2
3
3
1
D
2
PAK
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
MERIT优异的图（R
DS
*Q
g
)
100％的雪崩测试
图1 。
内部原理图
1
2
3
TO-220FP
TO-247
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC - DC转换器。
应用
■
开关应用
表1中。
设备简介
订购代码
STB40NF20
STP40NF20
STF40NF20
STW40NF20
记号
40NF20
40NF20
40NF20
40NF20
包
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2007年7月
REV 2
1/17
www.st.com
17
目录
STB40NF20 - STF40NF20 - STP40NF20 - STW40NF20
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STB40NF20 - STF40NF20 - STP40NF20 - STW40NF20
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220
D
2
PAK
TO-247
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（ T = 1秒; TC = 25 ° C）
储存温度
-55到150
马克斯。工作结温
°C
160
1.28
12
--
2500
200
± 20
40
25
160
40
0.32
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
TO-220FP
单位
1.价值限于通过引线接合
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
40A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
表2中。
符号
热数据
参数
TO-220
D
2
PAK
TO-247
TO-220FP
3.1
50
300
62.5
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
T
J
最大无铅焊接温度的
用途
(1)
62.5
0.78
1.持续10秒。 1.6毫米从案例
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
40
230
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STB40NF20 - STF40NF20 - STP40NF20 - STW40NF20
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
2
3
分钟。
200
1
10
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
0.038 0.045
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 20A
分钟。
典型值。
30
2500
510
78
20
44
74
22
75
13.2
35.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 100V ，我
D
= 20A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图17）
V
DD
= 160V ，我
D
= 40A,
V
GS
= 10V
（见
图18）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STB40NF20 - STF40NF20 - STP40NF20 - STW40NF20
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 20A ，V
GS
= 0
192
922
9.6
242
1440
11.9
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 20A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 25V
反向恢复电流
（见
图19）
I
SD
= 20A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图19）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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