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STB3NA80
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STB3NA80
n
n
n
n
n
n
n
n
V
DSS
800 V
R
DS ( ON)
< 4.5
I
D
3.1 A
n
典型
DS ( ON)
= 3.5
±
30V栅极至源极电压额定值
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
栅极电荷最小化
化阈值电压蔓延
通孔I2PAK ( TO- 262 )电源
包装管内(后缀“ -1” )
表面安装D2PACK ( TO- 263 )
电力包装管(没有后缀)
或在磁带和放大器; REEL (后缀“ T4 ” )
3
12
1
3
I2PAK
TO-262
D2PAK
TO-263
应用
n
大电流,高开关速度
n
开关模式电源( SMPS )
n
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额事实还是
储存温度
马克斯。操作摄像结温
o
o
VALU ê
800
800
±
30
3.1
2
12.5
100
1.25
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1995年10月
1/10
STB3NA80
热数据
R
THJ本身-ca
R
thj- AMB
R
THC-罪
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大导联T emperature焊接用途
最大
最大
典型值
0.8
62.5
0.5
300
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
重复性雪崩能量
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
雪崩电流,重复或不重复
o
(T
c
= 100℃ ,脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
最大VALU ê
3.1
48
2
2
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
Symbo升
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
牛逼EST刀豆ditio NS
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
800
250
1000
±
100
牛逼YP 。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零加速度吃的电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
Symbo升
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
牛逼EST刀豆ditio NS
I
D
= 250
A
I
D
= 1.5 A
I
D
= 1.5 A
T
c
= 100 C
3.1
o
分钟。
2.25
牛逼YP 。
3
3.5
马克斯。
3.75
4.5
9
单位
V
A
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
为s
C
SS
C
SS
参数
前锋
输入电容
输出电容
倒T转让(BOT)
电容
牛逼EST刀豆ditio NS
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 0
分钟。
1.5
牛逼YP 。
3
730
85
20
950
115
30
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STB3NA80
电气特性
(续)
接通
Symbo升
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
牛逼EST刀豆ditio NS
V
DD
= 400 V I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 640 V I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
(见测试电路,图5 )
V
DD
= 640 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
分钟。
牛逼YP 。
25
55
180
马克斯。
35
75
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
35
6
15
50
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
牛逼EST刀豆ditio NS
V
DD
= 640 V I
D
= 3 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
牛逼YP 。
50
15
75
马克斯。
70
25
100
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 3.1 A
V
GS
= 0
700
9.5
27
I
SD
= 3.1的di / dt = 100 A / μs的
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 100 V
(见测试电路,图5 )
牛逼EST刀豆ditio NS
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
3.1
12.5
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/10
STB3NA80
降额曲线
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/10
STB3NA80
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
交叉时间
5/10
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    -
    -
    -
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STB3NA80T4
ST
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱先生
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ST
24+
9850
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STM
21+
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√ 欧美㊣品
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ST
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16500
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