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N沟道150V - 0.075
- 30A
2
PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STB30NS15
s
s
s
s
STB30NS15
V
DSS
150 V
R
DS （ ON）
<0.1
I
D
30 A
s
典型
DS
（上） = 0.075
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
通孔版联系
销售办事处
3
1
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS
(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
150
150
± 20
30
21
120
110
0.73
2
250
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
2001年10月
(1) I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 15A ，V
DD
= 25V
1/9
STB30NS15
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
1.36
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
分钟。
150
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
A
I
D
= 15 A
分钟。
2
典型值。
3
0.075
马克斯。
4
0.1
单位
V
动态
符号
g
fs
(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 20 V
I
D
= 15 A
分钟。
典型值。
8
990
175
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
2/9
STB30NS15
电气特性
（续）
接通
(*)
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
=15 A
V
DD
= 75 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 120V我
D
= 30A V
GS
=10V
分钟。
典型值。
12
28
64
8
27
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
(*)
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
I
D
= 15 A
V
DD
= 75 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
（阻性负载，图3 ）
V
钳
= 120 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
（感性负载，图5）
分钟。
典型值。
50
12
50
17
11
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
(*)
符号
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
190
1.25
13
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
T
j
= 150°C
V
DD
= 50 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度限制T
JMAX
安全工作区
热阻抗
3/9
STB30NS15
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STB30NS15
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度的关系。
.
.
.
.
5/9
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ST92250JCR9T6
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SIDC26D60C6
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STB30NS15
ST
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