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STB30NE06L
N - CHANNEL 60V - 0.35Ω - 30A - D
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STB30NE06L
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.05
I
D
30 A
s
典型
DS （ ON）
= 0.035
100％的雪崩测试
低栅电荷100
o
C
面向应用
表征
通孔版联系
销售办事处
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
因此，问题不大的调整步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
直流电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
60
60
±
20
30
21
120
80
0.53
-65 175
175
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1999年3月
1/6
STB30NE06L
热数据
R
THJ -case
RT HJ- AMB
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大的铅温度F或焊接用途
1.875
62.5
0.5
300
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
20
100
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 15 A
I
D
= 15 A
30
分钟。
1
典型值。
1.75
0.045
0.035
马克斯。
2.5
0.06
0.05
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=15 A
V
GS
= 0
分钟。
10
典型值。
18
1350
195
58
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/6
STB30NE06L
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延时T IME
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 30 V
I
D
= 15 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 48 V I
D
= 30 A V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
25
105
20
8
10
28
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
（六中）D
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关断延时T IME
秋季牛逼IME
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 30 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 48 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（导入一件IVE负载，参见图5）
分钟。
典型值。
50
20
15
40
60
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
80
0.18
4.5
I
SD
= 30 A
的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 30 V
（见测试电路，图5）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
(
）脉冲宽度有限的安全工作区
3/6
STB30NE06L
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路，用于
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/6
STB30NE06L
TO- 263 （D
2
PAK ）机械数据
mm
分钟。
A
A1
B
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
4.4
2.49
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
10
4.88
15
1.27
1.4
典型值。
马克斯。
4.6
2.69
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
10.4
5.28
15.85
1.4
1.75
分钟。
0.173
0.098
0.027
0.044
0.017
0.047
0.352
0.393
0.192
0.590
0.050
0.055
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.106
0.036
0.067
0.023
0.053
0.368
0.409
0.208
0.624
0.055
0.068
DIM 。
D
A
C
A2
细节'A'
A1
B2
B
G
C2
详细信息“ A”
E
L2
L
L3
P011P6/E
5/6
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