STB270N04
STB270N04-1 - STP270N04
N沟道40V - 2.1mΩ - 160A - TO- 220 - D
2
PAK - 我
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB270N04-1
STB270N04
STP270N04
■
■
V
DSS
40V
40V
40V
R
DS （ ON）
<2.9m
<2.5m
<2.9m
I
D
120A
160A
120A
P
合计
330W
330W
330W
TO-220
1
2
3
3
12
IPAK
100％的雪崩测试
标准阈DRIVE
1
3
描述
这种N沟道增强型MOSFET是
意法半导体独有的最新细化
“单一特征尺寸 ”带为基础的进程
不太关键aligment步骤，因此一个
卓越的制造重复性。该
产生的晶体管显示了极高的堆积
密度低的导通电阻，坚固的雪崩
特性和低栅极电荷。
DPAK
内部原理图
应用
■
■
大电流，开关的应用
汽车
订购代码
销售类型
STB270N04-1
STB270N04
STP270N04
记号
B270N04
B270N04
P270N04
包
IPAK
DPAK
TO-220
包装
管
磁带&卷轴
管
2006年2月
Rev3
1/14
www.st.com
14
电气额定值
STB270N04-1 - STB270N04 - STP270N04
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/IPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
120
120
480
330
2.2
3.5
1
-55至175
40
± 20
160
160
640
DPAK
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
单位
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤120A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
4.启动TJ = 25°C ，ID = 80A ， VDD = 32V
表2中。
符号
R
THJ情况
R
thj-pcb(1)
R
THJ -A
T
l
热数据
价值
参数
TO-220/IPAK
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
目的（ 10秒，从案例1.6毫米）
--
62.5
300
0.45
35
--
--
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜。
2/14
Rev3
STB270N04-1 - STB270N04 - STP270N04
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
试验性条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
分钟。
40
10
100
典型值。马克斯。单位
V
A
A
I
DSS
V
DS
=最大额定值，
零栅压漏
V
DS
= MaxRating
电流（V
GS
= 0)
@125°C
门体漏
当前
(V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
2
TO-220
IPAK
DPAK
2.5
2.1
I
GSS
V
GS （ TH）
±
200
nA
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
静态漏源
阻力
4
2.9
2.5
V
m
m
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 80A
分钟。
典型值。
200
7400
1800
47
110
27
25
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20V ，我
D
= 160A
V
GS
=10V
（参见图2）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
Rev3
3/14
电气特性
STB270N04-1 - STB270N04 - STP270N04
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
试验性条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 80A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图14）
V
DD
= 20 V，I
D
= 80A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图14）
分钟。
典型值。
22
180
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
110
45
ns
ns
表6 。
符号
源漏二极管
参数
DPAK
试验性条件
民
典型值。
最大
160
120
640
480
I
SD
= 80A ，V
GS
=0
I
SD
=160A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 32V ， TJ = 150℃
70
225
3.2
1.5
单位
A
A
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
源极 - 漏极电流
TO-220
IPAK
DPAK
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
TO-220
IPAK
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/14
Rev3
STB270N04-1 - STB270N04 - STP270N04
电气特性
2.1
图1 。
电特性（曲线）
安全工作区
图2中。
热阻抗
网络连接gure 3 。
输出及特征
图4中。
传输特性
图5中。
静态漏源导通电阻
图6 。
规范B
VDSS
与温度
Rev3
5/14
STB270N04
STB270N04-1 - STP270N04
N沟道40V - 2.1mΩ - 160A - TO- 220 - D
2
PAK - 我
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB270N04-1
STB270N04
STP270N04
■
■
V
DSS
40V
40V
40V
R
DS （ ON）
<2.9m
<2.5m
<2.9m
I
D
120A
160A
120A
P
合计
330W
330W
330W
TO-220
1
2
3
3
12
IPAK
100％的雪崩测试
标准阈DRIVE
1
3
描述
这种N沟道增强型MOSFET是
意法半导体独有的最新细化
“单一特征尺寸 ”带为基础的进程
不太关键aligment步骤，因此一个
卓越的制造重复性。该
产生的晶体管显示了极高的堆积
密度低的导通电阻，坚固的雪崩
特性和低栅极电荷。
DPAK
内部原理图
应用
■
■
大电流，开关的应用
汽车
订购代码
销售类型
STB270N04-1
STB270N04
STP270N04
记号
B270N04
B270N04
P270N04
包
IPAK
DPAK
TO-220
包装
管
磁带&卷轴
管
2006年2月
Rev3
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电气额定值
STB270N04-1 - STB270N04 - STP270N04
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/IPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
120
120
480
330
2.2
3.5
1
-55至175
40
± 20
160
160
640
DPAK
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
单位
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤120A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
4.启动TJ = 25°C ，ID = 80A ， VDD = 32V
表2中。
符号
R
THJ情况
R
thj-pcb(1)
R
THJ -A
T
l
热数据
价值
参数
TO-220/IPAK
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
目的（ 10秒，从案例1.6毫米）
--
62.5
300
0.45
35
--
--
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜。
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电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
试验性条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
分钟。
40
10
100
典型值。马克斯。单位
V
A
A
I
DSS
V
DS
=最大额定值，
零栅压漏
V
DS
= MaxRating
电流（V
GS
= 0)
@125°C
门体漏
当前
(V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
2
TO-220
IPAK
DPAK
2.5
2.1
I
GSS
V
GS （ TH）
±
200
nA
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
静态漏源
阻力
4
2.9
2.5
V
m
m
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 80A
分钟。
典型值。
200
7400
1800
47
110
27
25
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20V ，我
D
= 160A
V
GS
=10V
（参见图2）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
Rev3
3/14
电气特性
STB270N04-1 - STB270N04 - STP270N04
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
试验性条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 80A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图14）
V
DD
= 20 V，I
D
= 80A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图14）
分钟。
典型值。
22
180
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
110
45
ns
ns
表6 。
符号
源漏二极管
参数
DPAK
试验性条件
民
典型值。
最大
160
120
640
480
I
SD
= 80A ，V
GS
=0
I
SD
=160A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 32V ， TJ = 150℃
70
225
3.2
1.5
单位
A
A
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
源极 - 漏极电流
TO-220
IPAK
DPAK
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
TO-220
IPAK
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/14
Rev3
STB270N04-1 - STB270N04 - STP270N04
电气特性
2.1
图1 。
电特性（曲线）
安全工作区
图2中。
热阻抗
网络连接gure 3 。
输出及特征
图4中。
传输特性
图5中。
静态漏源导通电阻
图6 。
规范B
VDSS
与温度
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