STB20NM60D
N沟道600V - 0.26Ω - 20A - D
2
PAK
FDmesh 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB20NM60D
■
■
■
■
■
V
DSS
600V
R
DS （ ON）
<0.29
I
D
20A
Pw
45W
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
严密的过程控制和制造高
收益率
1
3
DPAK
描述
该FDmesh 联营各方优势
降低导通电阻和快速开关用
固有的快速恢复的体二极管。因此，它是
强烈建议在桥拓扑结构，在
特定的ZVS移相器。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB20NM60D
记号
B20NM60D
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2006年6月
REV 1
1/13
www.st.com
13
目录
STB20NM60D
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
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STB20NM60D
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
600
600
± 30
20
12.6
80
192
1.20
20
- 65 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
dv / dt的
(2)
峰值二极管恢复电压斜率
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
< 20A ， di / dt的< 400A / μs的，V
DD
= 80%V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
热阻
参数
价值
0.65
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
价值
10
700
单位
A
mJ
3/13
电气特性
STB20NM60D
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
3
4
民
600
1
10
±10
0
5
典型最大单位
V
A
A
A
V
0.26 0.29
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
试验性条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 480V ，我
D
= 20A,
V
GS
= 10V
（参见图13）
民
典型最大单位
9
1300
500
35
190
2.7
37
10
17
52
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
C
OSS EQ 。 （2）
等效输出电容
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
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STB20NM60D
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
电气特性
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
试验性条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 10A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（参见图12）
V
DD
= 480 V，I
D
= 20A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图12）
分钟。
典型值。
25
12
8
22
30
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A，T
j
= 25°C
的di / dt = 100A / μs的，V
DD
=60V
（参见图17）
I
SD
= 20 A，T
j
= 150°C
的di / dt = 100A / μs的，V
DD
=60V
（参见图17）
240
1800
16
396
2960
20
试验性条件
民
典型值。
最大
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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