STB20NM60-1 - STP20NM60FP
STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60
N沟道600V - 0.25Ω - 20A - TO- 247 - TO- 220 / FP - D
2
/I
2
PAK
的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STP20NM60
STP20NM60FP
STB20NM60
STB20NM60-1
STW20NM60
■
■
■
■
V
DSS
600V
600V
600V
600V
600V
R
DS （ ON）
< 0.29Ω
< 0.29Ω
< 0.29Ω
< 0.29Ω
< 0.29Ω
I
D
3
20A
20A
20A
20A
20A
1
DPAK
TO-247
3
1
2
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
图1 。
TO-220
1
2
TO-220FP
3
3
12
IPAK
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
该的MDmesh 是一个新的革命力量
MOSFET技术相关联的多
排水过程中与该公司的PowerMESH
横向布局。所得到的产物具有
出色的低导通电阻，令人印象深刻的高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用该公司专有的条
技术导致了整体的动力性能
这是比类似显著更好
竞争的产品。
表1中。
设备简介
产品型号
STP20NM60
STP20NM60FP
STB20NM60T4
STB20NM60-1
STW20NM60
记号
P20NM60
P20NM60FP
B20NM60
B20NM60-1
W20NM60
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
IPAK
TO-247
包装
管
管
磁带&卷轴
管
管
2007年8月
转12
1/18
www.st.com
18
目录
STB20NM60 / -1 - STP20NM60FP - STP20NM60 - STW20NM60
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STB20NM60 / -1 - STP20NM60FP - STP20NM60 - STW20NM60
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/DPAK
IPAK/TO-247
600
±30
20
12.6
80
192
1.5
15
--
-65到150
150
2500
20
(1)
12.6
(1)
80
(1)
45
0.36
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 20A ， di / dt的< 400A / μs的，V
DD
＆ LT ; V
（ BR ） / DSS
， TJ <牛逼
JMAX
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
TO-220/DPAK
IPAK/TO-247
0.65
62.5
300
TO-220FP
2.8
单位
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
马克斯。
价值
10
650
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STB20NM60 / -1 - STP20NM60FP - STP20NM60 - STW20NM60
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10 A
3
4
0.25
分钟。
600
1
10
±100
5
0.29
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 （2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10 A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至
480 V
V
DD
= 480 V，I
D
= 20 A,
V
GS
= 10V
（参见图16）
F = 1 MHz的栅极的直流
偏压= 0测试信号
等级= 20 mV的
漏极开路
分钟。
典型值。
11
1500
350
35
215
39
10
20
54
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
R
g
门输入电阻
1.6
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
4/18
STB20NM60 / -1 - STP20NM60FP - STP20NM60 - STW20NM60
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 10 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图15）
分钟。
典型值。
25
20
42
11
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 60 V
（参见图20）
I
SD
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150℃ ，V
DD
= 60 V
（参见图20）
390
5
25
510
6.5
26
测试条件
民
典型值。
最大
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/18
STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60
STB20NM60 - STB20NM60-1
N沟道600V - 0.25Ω - 20A TO- 220 / FP / D / IPAK / TO- 247
的MDmesh MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STP20NM60
STP20NM60FP
STB20NM60
STB20NM60-1
STW20NM60
s
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.29
< 0.29
< 0.29
< 0.29
< 0.29
I
D
20 A
20 A
20 A
20 A
20 A
TO-220
TO-220FP
V
DSS
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
3
1
2
3
1
2
s
典型
DS
（上） = 0.25
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
3
2
1
3
1
TO-247
IPAK
3
12
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH horizon-
TAL布局。所得到的产物具有
出色的低导通电阻，令人印象深刻的高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用本公司专有的带技的
NIQUE收益率整体动力表现是
比同类竞争对手的显著好
化的产品。
DPAK
图2 ：内部原理图
应用
在的MDmesh 系列是非常适合increas-
高电压转换器荷兰国际集团的功率密度允许 -
荷兰国际集团系统的小型化和更高的效率。
表2 ：订购代码
销售类型
STP20NM60
STP20NM60FP
STB20NM60T4
STB20NM60-1
STW20NM60
记号
P20NM60
P20NM60FP
B20NM60
B20NM60
W20NM60
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
IPAK
TO-247
包装
管
管
磁带&卷轴
管
管
Rev.2
2005年2月
1/15
STP20NM60 - STP20NM60FP - STB20NM60 - STW20NM60 - STB20NM60-1
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
价值
TO-220/DPAK/
IPAK/TO-247
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-65到150
150
20
12.6
80
192
1.2
15
2500
600
600
±30
20 (*)
12.6 (*)
80 (*)
45
0.36
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1)
I
SD
≤
20 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，
V
DD
≤
V
（ BR ） / DSS ，
T
j
≤
T
JMAX
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
TO-220/DPAK/
IPAK/TO-247
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.65
62.5
300
TO-220FP
2.8
单位
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
马克斯。值
10
650
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
分钟。
600
1
10
±100
3
4
0.25
5
0.29
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
静态漏源
阻力
V
GS
= ± 30V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10 A
2/15
STP20NM60 - STP20NM60FP - STB20NM60 - STW20NM60 - STB20NM60-1
电气特性（续）
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
c
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
11
1500
350
35
215
25
20
6
11
21
39
10
20
1.6
54
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400 V
V
DD
= 200 V，I
D
= 10 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480 V，I
D
= 20 A
（见测试电路，图5 ）
V
DD
= 400 V，I
D
= 20 A,
V
GS
= 10V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
390
5
25
510
6.5
26
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/15
STP20NM60 - STP20NM60FP - STB20NM60 - STW20NM60 - STB20NM60-1
图3 ：安全工作区的TO- 220 /
DPAK / IPAK
图6： TO- 220热阻抗/
DPAK / IPAK
图4 ：安全工作区TO- 220FP
图7 ：热阻抗对于TO- 220FP
图5 ：安全工作区的TO- 247
图8： TO- 247热阻抗
4/15
STP20NM60 - STP20NM60FP - STB20NM60 - STW20NM60 - STB20NM60-1
图9 ：输出特性
图12 ：栅极电荷VS栅源电压
图10：跨导
图13 ：归栅极阈值电压
VS温度。
图11 ：传输特性
图14 ：静态漏源导通电阻
5/15
QQ：2880707522 复制
