STB20NE06L
N沟道60V - 0.06Ω - 20A
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STB20NE06L
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
<0.07
I
D
20 A
典型的RDS(on ) = 0.06
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
低栅电荷100摄氏度
低阈值DRIVE
加后缀“ T4 ” ,供订购在磁带&
REEL
3
1
D
2
PAK
TO-263
(suffix“T4”)
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
±20
20
14
80
70
0.47
7
-60至175
175
(1)
I
SD
≤20A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
(
)脉冲宽度有限的安全工作区。
2000年12月
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