STP200NF04L
STB200NF04L - STB200NF04L - 1
N沟道40V - 3毫欧 - 120 A TO - 220 / DPAK / IPAK
的STripFET II MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STB200NF04L
STP200NF04L
STB200NF04L-1
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
3.5 m
3.8 m
3.8 m
I
D
120 A
120 A
120 A
3
1
2
V
DSS
40 V
40 V
40 V
典型
DS （ ON）
= 3
m
100％的雪崩测试
低THERESHOLD DRIVE
3
1
TO-220
DPAK
描述
这种MOSFET是STMi-的最新发展
croelectronics独特的“单一特征尺寸 ”
stripbased过程。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低的导通电阻
tance ，坚固耐用的雪崩特性和less-
因此，至关重要的alignement步骤显着
制造重复性。这种新的改进
设备已用于汽车被专门设计
略去应用。
应用
s
大电流，高开关速度
3
12
IPAK
图2 ：内部原理图
表2 ：订购代码
产品型号
STP200NF04L
STB200NF04L
STB200NF04L-1
记号
P200NF04L
B200NF04L
B200NF04L
包
TO-220
DPAK
IPAK
包装
管
磁带&卷轴
管
第1版
2005年4月
1/12
STP200NF04L - STB200NF04L - STB200NF04L - 1
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GDR
V
GS
I
D
(**)
I
D
I
DM
(2)
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
=20 K)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
40
40
± 16
120
120
480
300
2
3.6
1.4
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
E
AS
(3)
T
英镑
T
j
(1)I
SD
≤
100 A ， di / dt的
≤
240 A / μs的，V
DD
≤
32 , T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（ 3 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
AR
= 50A ，V
DD
= 30V
（ ** ）电流限制通过包装
表4 ：热数据
TO-220/IPAK
Rthj情况
Rthj -PCB （ * ）
RthJA
T
l
热阻结案件
热阻结到PCB
热阻结到环境
最大
最大
最大
62.5
300
0.50
35
--
--
°C
DPAK
单位
° C / W
° C / W
最大无铅焊接温度的目的
（ * ）当安装在1英寸2 FR4 2盎司铜
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
分钟。
40
1
10
±100
1
TO-220
IPAK
DPAK
3.3
3.8
3.0
3.5
4
3.8
4.6
3.5
4.3
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
m
m
m
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
D
=最大额定值，T
C
= 125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
静态漏源
阻力
V
GS
= ± 16V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 50 A
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STP200NF04L - STB200NF04L - STB200NF04L - 1
电气特性（续）
表6 ：动态
符号
g
fs
(4)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
F（ Voff时）
t
f
t
c
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 20 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
60
6400
1300
190
37
270
90
80
85
125
160
72
20
28.5
90
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 20 V，I
D
= 50 A,
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（参见图16）
V
钳
= 32 V，I
D
= 100 A,
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（参见图17）
V
DD
=
32 V，I
D
= 100 A,
V
GS
= 4.5 V
（参见图19）
表7 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(4)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 160 A，V
GS
= 0
I
SD
= 100 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 20 V ，T
j
= 150°C
（参见图16）
88
240
5.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
400
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
（ 1 ）脉冲宽度有限的安全工作区
（4） 。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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图3 ：安全工作区
图6 ：热阻抗
图4 ：输出特性
图7 ：传输特性
图5：跨导
图8 ：静态漏源导通电阻
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图9 ：栅极电荷VS栅源电压
图12 ：电容变化
图10 ：归一门Thereshold电压
年龄与温度
图13 ：归在电阻与温
perature
图11 ：源极 - 漏极二极管正向煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
图14 ：归击穿电压VS
温度
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