N沟道30V - 0.0032
- 120A
PAK / I
PAK/TO-220
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB200NF03/-1
STP200NF03
s
s
s
STP200NF03
STB200NF03 STB200NF03-1
具体汽车
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
<0.0036
<0.0036
I
D
120 A
(**)
120 A
(**)
3
1
典型
DS
（上） = 0.0032Ω
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
3
12
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电磁阀和继电器驱动器
D
PAK
TO-263
I
PAK
TO-262
3
1
2
TO-220
内部原理图
订购信息
销售类型
STB200NF03T4
STP200NF03
STB200NF03-1
记号
B200NF03
P200NF03
B200NF03
包
D
2
PAK
TO-220
I
2
PAK
包装
磁带&卷轴
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
V
DS
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
V
DGR
V
GS
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
I
D
(**)
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
I
D
I
DM
()
漏电流（脉冲）
P
合计
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
(1)
峰值二极管恢复电压斜率
dv / dt的
(2)
E
AS
单脉冲雪崩能量
T
英镑
储存温度
T
j
工作结温
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ ** ）电流限制通过包装
价值
30
30
± 20
120
120
480
300
2.0
1.5
1.45
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
(1) I
SD
≤120A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 60 A，V
DD
= 25 V
2002年10月
1/14
STB200NF03 / -1 STP200NF03
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
RthJ -PCB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻结到PCB
最大无铅焊接温度的目的
（ 10秒1.6毫米的情况下）
最大
最大
最大
典型值
0.5
62.5
请参见第6页上的曲线
300
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
I
GSS
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 60 A
分钟。
2
0.0032
典型值。
马克斯。
4
0.0036
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS =
15 V
I
D
= 60 A
分钟。
典型值。
200
4950
1750
280
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
2/14
STB200NF03 / -1 STP200NF03
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 24V I
D
= 120A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
30
195
113
32
41
140
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
75
60
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM （ ）
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A
V
GS
= 0
70
170
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 120 A
V
DD
= 25 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/14
STB200NF03 / -1 STP200NF03
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/14
STB200NF03 / -1 STP200NF03
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度的关系。
功率降额VS锝
.
最大ID当前VS锝
.
.
5/14
STP200NF03
STB200NF03 - STB200NF03-1
N沟道30V - 0.0032Ω - 120A - D
2
PAK / I
2
PAK/TO-220
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP200NF03
STB200NF03
STB200NF03-1
V
DSS
30V
30V
30V
R
DS （ ON）
<0.0037
<0.0037
<0.0037
I
D
120A
(1)
120A
(1)
120A
(1)
TO-220
1
2
3
3
1
D
2
PAK
1.电流限制通过包装
■
■
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
I
2
PAK
3
12
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB200NF03T4
STB200NF03-1
STP200NF03
记号
B200NF03
B200NF03
P200NF03
包
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
2007年2月
转4
1/18
www.st.com
18
目录
STP200NF03 - STB200NF03 - STB200NF03-1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
7
香料的热模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STP200NF03 - STB200NF03 - STB200NF03-1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25°C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结
温度
-55至175
°C
价值
30
30
± 20
120
120
480
300
2.0
1.5
1.45
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
1.价值受包
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
120A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
4.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 60A ，V
DD
= 25V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
RthJ -PCB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结到PCB
最大无铅焊接温度的目的
(1)
0.5
62.5
看到曲线
13
和
14
300
°C
° C / W
° C / W
1.持续10秒。 1.6毫米从案例
3/18
电气特性
STP200NF03 - STB200NF03 - STB200NF03-1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
2
0.0032
分钟。
30
1
10
±100
4
0.0036
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 60A
分钟。
典型值。
200
4950
1750
280
30
195
75
60
113
32
41
140
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 15V ，我
D
= 60A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图19）
V
DD
= 24V ，我
D
= 120A,
V
GS
= 10V
（见
图20）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/18
STP200NF03 - STB200NF03 - STB200NF03-1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 120A ，V
GS
= 0
70
170
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 120A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图21）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/18
QQ：2880707522 复制
