STP190NF04
STB190NF04 - STB190NF04-1
N沟道40V - 0.0039Ω - 120A - D
2
PAK / I
2
PAK/TO-220
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP190NF04
STB190NF04
STB190NF04-1
■
■
V
DSS
40V
40V
40V
R
DS （ ON）
<0.0043
<0.0043
<0.0043
I
D
120A
120A
120A
TO-220
1
2
3
3
1
D
2
PAK
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
3
12
I
2
PAK
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB190NF04T4
STB190NF04-1
STP190NF04
记号
B190NF04
B190NF04
P190NF04
包
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年8月
REV 2
1/16
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16
目录
STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25°C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结
温度
-55至175
°C
价值
40
40
± 20
120
120
480
310
2.07
7
860
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
1.价值受包
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
190A ， di / dt的
≤
600A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
4.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 95A ，V
DD
= 35V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
(1)
0.48
50
300
° C / W
° C / W
°C
1.持续10秒。 1.6毫米从案例
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电气特性
STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 95A
2
0.0039
分钟。
40
1
10
±100
4
0.0043
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 95A
分钟。
典型值。
200
5800
1500
200
45
380
100
75
130
40
45
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 20V ，我
D
= 95A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图15）
V
DD
= 20V ，我
D
= 190A,
V
GS
= 5V
（见
图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 120A ，V
GS
= 0
90
295
6.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 190A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 34V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图17）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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