STB185N10F3
STP185N10F3
N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A，D
2
PAK ， TO- 220
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
特点
TYPE
STB185N10F3
STP185N10F3
V
DSS
100 V
100 V
R
DS （ ON）
4.5 m
4.8 m
I
D
120 A
(1)
120 A
(1)
3
1
2
3
1
1.价值限于通过引线接合
■
■
超低导通电阻
100％的雪崩测试
TO-220
D
2
PAK
应用
■
开关应用
汽车
图1 。
内部原理图
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征尺寸
条形基础的过程不那么重要调整
步骤，因此，显着的制造
重现。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低
性，坚固耐用的雪崩特性和
低栅极电荷。
表1中。
设备简介
记号
185N10F3
185N10F3
包
D
2
PAK
TO-220
包装
磁带和卷轴
管
订购代码
STB185N10F3
STP185N10F3
2008年8月
REV 1
1/12
www.st.com
12
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STB185N10F3 - STP185N10F3
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
................................................ 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
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STB185N10F3 - STP185N10F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
100
± 20
120
120
480
300
2.0
待定
待定
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
E
的AS （3）
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制的包。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 60 A，V
DD
=40 V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj -A
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境最大
62.5
--
300
TO-220
0.5
--
35
--
DPAK
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
1.当安装在FR-4板，对1inch ， 2盎司铜。
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电气特性
STB185N10F3 - STP185N10F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
分钟。
100
10
100
±
200
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
m
门体漏电流
V
GS
= ±20 V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 60 A
DPAK
TO-220
2
4
4.5
4.8
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
100
待定
待定
待定
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 80 V，I
D
= 120 A,
V
GS
= 10 V
（见
图3）
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
动态
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见
图2，图7）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
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STB185N10F3 - STP185N10F3
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A，V
GS
=0
I
SD
=120 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 30 V ， TJ = 150℃
（见
图4）
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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