STB180N55
STP180N55
N沟道55V - 2.9mΩ - 120A - DPAK - TO- 220
的MDmesh 低电压功率MOSFET
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STB180N55
STP180N55
■
■
V
DSS
55V
55V
R
DS ( ON)
3.5m
3.8m
I
D
120A (注1 )
120A (注1 )
3
1
1
2
3
超低导通电阻
100%的雪崩测试
DPAK
TO-220
描述
这种N沟道增强型MOSFET是
意法半导体独有的最新细化
“单一特征尺寸 ”带为基础的进程
不太关键aligment步骤,因此一个
卓越的制造重复性。该
产生的晶体管显示了极高的堆积
密度低的导通电阻,坚固的雪崩
特性和低栅极电荷
.
内部原理图
应用
■
大电流开关应用
订购代码
销售类型
STB180N55
STP180N55
记号
B180N55
P180N55
包
DPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
2006年1月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知
REV 1
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www.st.com
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2电气特性
STP180N55 - STB180N55
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 27V ,我
D
= 60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
(参见图3)
V
DD
= 27V ,我
D
= 60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
(参见图3)
分钟。
典型值。
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
关闭电压上升时间
下降时间
待定
待定
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
记
2
V
SD
记
3
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ,V
GS
=0
I
SD
= 120A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 30V , TJ = 150℃
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
( 1 )按封装电流限制
( 2 )脉冲宽度有限的安全工作区
( 3 )脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
( 4 )开始TJ = 25°C ,ID = 60A , VDD = 40V
( 5 )当安装英寸2 FR4 2盎司铜
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