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STB180N55
STP180N55
N沟道55V - 2.9mΩ - 120A - DPAK - TO- 220
的MDmesh 低电压功率MOSFET
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STB180N55
STP180N55
V
DSS
55V
55V
R
DS ( ON)
3.5m
3.8m
I
D
120A (注1 )
120A (注1 )
3
1
1
2
3
超低导通电阻
100%的雪崩测试
DPAK
TO-220
描述
这种N沟道增强型MOSFET是
意法半导体独有的最新细化
“单一特征尺寸 ”带为基础的进程
不太关键aligment步骤,因此一个
卓越的制造重复性。该
产生的晶体管显示了极高的堆积
密度低的导通电阻,坚固的雪崩
特性和低栅极电荷
.
内部原理图
应用
大电流开关应用
订购代码
销售类型
STB180N55
STP180N55
记号
B180N55
P180N55
DPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
2006年1月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知
REV 1
1/11
www.st.com
11
1电气额定值
STP180N55 - STB180N55
1
表1中。
电气额定值
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
=0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
dv / dt的
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
55
± 20
120
120
480
315
2.1
待定
待定
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
1
I
D
1
I
DM
2
P
合计
E
AS
4
T
j
T
英镑
表2中。
热数据
TO-220
DPAK
0.48
62.5
--
300
--
35
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj -A
RthJ -PCB
5
T
l
热阻结案件
热阻结到环境最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
2/11
STP180N55 - STB180N55
2电气特性
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值, TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A
DPAK
TO-220
2
分钟。
55
10
100
±
200
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
m
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
4
3.5
3.8
表4 。
符号
g
fs
3
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 60A
分钟。
典型值。
待定
6200
1800
100
110
待定
待定
待定
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
=0
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 44V ,我
D
= 120A
V
GS
=10V
(参见图2)
3/11
2电气特性
STP180N55 - STB180N55
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 27V ,我
D
= 60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
(参见图3)
V
DD
= 27V ,我
D
= 60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
(参见图3)
分钟。
典型值。
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
关闭电压上升时间
下降时间
待定
待定
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
2
V
SD
3
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ,V
GS
=0
I
SD
= 120A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 30V , TJ = 150℃
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
( 1 )按封装电流限制
( 2 )脉冲宽度有限的安全工作区
( 3 )脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
( 4 )开始TJ = 25°C ,ID = 60A , VDD = 40V
( 5 )当安装英寸2 FR4 2盎司铜
4/11
STP180N55 - STB180N55
3测试电路
3
测试电路
开关时间测试电路
阻性负载
图2中。
栅极电荷测试电路
图1 。
网络连接gure 3 。
测试电路Indictive负载
开关和二极管恢复
图5中。
非钳位电感负载测试
电路
图4中。
非钳位感应波形
图6 。
开关时间波形
5/11
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ST
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ST
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STB180N55
ST/意法
22+
99827
TO
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