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STB16PF06L
P沟道60V - 0.11Ω - 16A D2PAK
的STripFET MOSFET
表1 :一般特点
TYPE
STB16PF06L
s
s
s
图1 :包装
I
D
16 A
Pw
70 W
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
< 0.125
典型
DS
(上) = 0.11
低阈值设备
低栅电荷
3
1
描述
这种MOSFET是STMi-的最新发展
croelectronics独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
D
2
PAK
TO-263
图2 :内部原理图
应用
s
电机控制
s
DC- DC转换器
表2 :订购代码
产品型号
STB16PF06LT4
记号
B16PF06L
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
第1版
2004年9月
1/10
STB16PF06L
表3 :绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的( 1 )
E
AS
(2)
T
j
T
英镑
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
60
60
± 16
16
11.4
64
70
0.4
20
250
- 55 175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤16A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX 。
( 2 )起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 8 A,V
DD
= 30 V
注意:对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须是相反的
表4 :热数据
Rthj情况
Rthj -PCB ( # )
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
最大无铅焊接温度的
目的(1.6毫米frrom情况下, 10秒)
2.14
34
300
° C / W
° C / W
°C
( # )当安装在1英寸
2
FR-4板, 2盎司铜
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 :开/关
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ,我
D
= 8 A
V
GS
= 5V ,我
D
= 8 A
1.5
0.11
0.130
0.125
0.165
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/10
STB16PF06L
电气特性(续)
表6 :动态
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10 V
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
7.2
630
121
49
129
90
25.5
19.5
11.4
5.2
4.7
15.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 30 V,I
D
= 8 A,R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
(阻性负载,图1 )
V
DD
= 48 V,I
D
= 16 A,
V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图2 )
表7 :源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A,V
GS
= 0
I
SD
= 16 A, di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 20V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图3 )
48.5
87.3
3.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/10
STB16PF06L
图3 :安全工作区
图6 :热阻抗
图4 :输出特性
图7 :传输特性
图5:跨导
图8 :静态漏源导通电阻
4/10
STB16PF06L
图9 :栅极电荷VS栅源电压
图12 :电容变化
图10 :归一门Thereshold电压
年龄与温度
图13 :归在电阻与温
perature
图11 : Dource漏二极管正向煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
图14 :归击穿电压VS
温度
5/10
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