【STB160NF3LLN沟道30V - 0.0028Ω - 160A - D2PAK的STripF】,IC型号STB160NF3LL_06,STB160NF3LL_06 PDF资料,STB160NF3LL

STB160NF3LL

N沟道30V - 0.0028Ω - 160A - D

2

PAK

的STripFET III功率MOSFET

一般特点

TYPE

STB160NF3LL

V

DSS

30V

R

DS （ ON）

<0.0033

I

D

160A

(1)

1.价值限于通过引线接合

■

100％的雪崩测试

超低导通电阻

逻辑电平器件

低阈值DRIVE

3

1

D

2

PAK

描述

该STB100NH02L采用了最先进的

意法半导体独有的STripFET 设计规则

技术。这是合适的光纤收发器的最

苛刻的DC-DC转换器的应用中

高效率来实现。

内部原理图

应用

■

开关应用

订购代码

产品型号

STB160NF3LL

记号

B160NF3LL

包

D

2

PAK

包装

磁带&卷轴

2006年6月

REV 2

1/13

www.st.com

13

STB160NF3LL

1

2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................. 6

3

4

5

6

测试电路

................................................ 8

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

包装机械数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 12

2/13

STB160NF3LL

电气额定值

1

电气额定值

表1中。

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D(1)

I

D(1)

I

DM(2)

P

合计

dv / dt的

(3)

E

的AS （4）

T

英镑

T

j

绝对最大额定值

参数

漏源电压（V

GS

= 0)

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

C

= 25°C

漏电流（连续）在T

C

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

C

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复雪崩能量

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

30

± 16

160

640

300

2

1.2

-55至175

°C

单位

V

A

W

W / ℃，

V / ns的

mJ

1.电流限制通过包装

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

3. I

SD

≤

160A ， di / dt的

≤

100A / μs的，V

DD

=V(

BR ） DSS

, T

j

≤

T

JMAX

4.起始物为

j

= 25 ° C，I

D

= 30A ，V

DD

= 15V

表2中。

Rthj情况

Rthj - AMB

T

J

热数据

热阻结案件最大

热阻结到环境最大

最大无铅焊接温度的目的

(1)

0.5

62.5

300

° C / W

°C

1.对于T

≤

10秒。 1.6毫米从案例

3/13

电气特性

STB160NF3LL

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0)

门体漏

电流（V

DS

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

I

D

= 250μA ，V

GS

=0

V

DS

= 20V

V

DS

= 20V ，T

C

= 125°C

V

GS

= ± 16V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 80A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 80A

1

0.0028

0.0035

0.0033

0.0048

分钟。

30

1

10

±100

典型值。

马克斯。

单位

V

A

nA

V

表4 。

符号

g

飞秒（1）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

动态

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

DS

= 15V

,

I

D

= 80A

分钟。

典型值。

110

5500

1700

300

50

350

150

130

80

30

45

110

马克斯。

单位

S

pF

ns

nC

V

DS

= 25V ， F = 1MHz时，

V

GS

= 0

V

DD

= 15V ，我

D

= 80A

R

G

= 4.7 V

GS

= 4.5V

（见

图13）

V

DD

= 24V ，我

D

= 160A,

V

GS

= 4.5V ，R

G

= 4.7

（见

图14）

1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

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STB160NF3LL

电气特性

表5 。

符号

I

SD

I

SDM

(1)

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

I

SD

= 160A ，V

GS

= 0

100

250

6

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

160

640

1.3

单位

A

V

ns

nC

A

V

的SD （2）

t

rr

Q

rr

I

RRM

I

SD

= 160A ，的di / dt =

反向恢复时间

100A/s,

反向恢复电荷

V

DD

= 20V ，T

j

= 150°C

反向恢复电流

（见

图15）

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

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