N沟道30V - 0.0026
- 160A
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
ST160NF3LL
s
s
s
s
s
s
STB160NF3LL
初步数据
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.003
I
D
160 A
典型
DS
（上） = 0.0026
低阈值DRIVE
超低导通电阻
逻辑电平器件
100％的雪崩测试
表面安装
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
3
1
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电磁阀和继电器驱动器
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(
)
I
D
I
DM
()
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
价值
30
30
± 15
160
160
640
300
2
1.2
-55至175
（ 1 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 80A ，V
DD
= 20V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
J
°C
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
2002年5月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/7
STB160NF3LL
电气特性
（续）
接通
(*)
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 80 A
V
DD
= 15 V
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 24V I
D
= 160A V
GS
=5V
分钟。
典型值。
50
350
95
25
45
125
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
(*)
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 80 A
V
DD
= 15 V
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7,
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
150
120
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
(*)
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 160 A
V
GS
= 0
90
200
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
160
640
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 160 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 15 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
()
脉冲宽度限制T
JMAX
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STB160NF3LL
N沟道30V - 0.0028Ω - 160A - D
2
PAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB160NF3LL
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0033
I
D
160A
(1)
1.价值限于通过引线接合
■
■
■
■
100％的雪崩测试
超低导通电阻
逻辑电平器件
低阈值DRIVE
3
1
D
2
PAK
描述
该STB100NH02L采用了最先进的
意法半导体独有的STripFET 设计规则
技术。这是合适的光纤收发器的最
苛刻的DC-DC转换器的应用中
高效率来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB160NF3LL
记号
B160NF3LL
包
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2006年6月
REV 2
1/13
www.st.com
13
目录
STB160NF3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
电气特性
STB160NF3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V ，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 80A
1
0.0028
0.0035
0.0033
0.0048
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 80A
分钟。
典型值。
110
5500
1700
300
50
350
150
130
80
30
45
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 15V ，我
D
= 80A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见
图13）
V
DD
= 24V ，我
D
= 160A,
V
GS
= 4.5V ，R
G
= 4.7
（见
图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/13
STB160NF3LL
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 160A ，V
GS
= 0
100
250
6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
160
640
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 160A ，的di / dt =
反向恢复时间
100A/s,
反向恢复电荷
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图15）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/13
QQ：2880707522 复制
