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STB160NF03L
N沟道30V - 0.0021Ω - 160A D2PAK
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STB160NF03L
s
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
< 0.0030
I
D
160 A
典型
DS
（上） = 0.0021Ω
低阈值DRIVE
超低导通电阻
栅电荷极低
100％的雪崩测试
3
1
D
2
PAK
(TO-263)
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
”
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示了极高的堆积密度
超低导通电阻，优越的开关字符
开创性意义和不太重要的调整措施，因此
一个了不起的制造重复性。这
装置特别适合于高电流，低
电压开关应用中的效率
至关重要的。
内部原理图
应用
s
在BUCK变换器高
性能电信和VRM的
s
DC- DC转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(1)
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
E
AS
(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
±15
160
113
640
300
2
2
-65 175
175
（ 1 ）限制了包
(2) I
SD
≤100A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
J
°C
°C
(
q
）脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
2001年2月
1/9
STB160NF03L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TCASE = 25
°C
除非另有规定编）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125
°C
V
GS
=
±15V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 80 A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
V
GS
= 10V
160
分钟。
1
0.0021
0.0042
0.0030
0.0070
典型值。
马克斯。
单位
V
A
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
=80 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
210
5600
1720
310
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STB160NF03L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 80A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 24V ，我
D
= 160A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
28
285
123
21
40
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 15V ，我
D
= 80A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
VCLAMP = 24V ，我
D
=40A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
110
65
110
35
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 160A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
80
180
4.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
160
640
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
STB160NF03L
输出特性
转院特点
Tranconductance
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STB160NF03L
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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