STP15NK50Z / FP - STB15NK50Z
STB15NK50Z -1 - STW15NK50Z
N沟道500V - 0.30Ω - 14A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK/TO-247
齐纳保护的超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP15NK50Z
STP15NK50ZFP
STB15NK50Z
STB15NK50Z-1
STW15NK50Z
■
■
■
■
■
V
DSS
500V
500V
500V
500V
500V
R
DS （ ON）
<0.34
<0.34
<0.34
<0.34
<0.34
I
D
14A
14A
14A
14A
14A
Pw
160 W
1
3
2
3
1
2
40 W
160W
160W
160W
TO-220
TO-220FP
TO-247
3
12
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
1
3
I
2
PAK
D
2
PAK
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP15NK50Z
STP15NK50ZFP
STB15NK50ZT4
STB15NK50Z
STB15NK50Z-1
STW15NK50Z
2007年1月
记号
P15NK50Z
P15NK50ZFP
B15NK50Z
B15NK50Z
B15NK50Z
W15NK50Z
转4
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-247
包装
管
管
磁带&卷轴
管
管
管
1/19
www.st.com
19
目录
STP15NK50Z - STP15NK50ZFP - STB15NK50Z - STB15NK50Z - 1 - STW15NK50Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/19
STP15NK50Z - STP15NK50ZFP - STB15NK50Z - STB15NK50Z - 1 - STW15NK50Z电气额定值
1
电气额定值
表1中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220/D
2
PAK
I
2
PAK/TO-247
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20K)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
=
25°C
漏极电流（连续）在
T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
I
GS
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电流（ DC ）
14
8.8
56
160
1.28
± 20
4000
4.5
--
2500
500
500
± 30
14
(1)
8.8
(1)
56
(1)
40
0.32
单位
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mA
KV
V / ns的
V
VESD （G -S ）G -S ESD （ HBM C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐受电压（有效值）
来自所有三个导到外部的热
水槽（ T = 1秒;吨
C
=25°C)
工作结温
储存温度
-50 ℃150℃
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
图14A中， di / dt的
≤
200A/s,V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
表2中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220
I
2
PAK
D
2
PAK
单位
TO-220FP
TO-247
R
THJ情况
热阻结案件
最大
0.78
60
3.1
0.78
° C / W
° C / W
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
3/19
电气额定值STP15NK50Z - STP15NK50ZFP - STB15NK50Z - STB15NK50Z - 1 - STW15NK50Z
表2中。
R
THJ -A
T
l
热数据
热阻结到环境
最大
铅的最大温度
焊接用途
62.5
300
50
° C / W
°C
1.当安装在最小英尺打印
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n =我
AR
, V
DD
=50V)
价值
14
300
单位
A
mJ
表4 。
符号
门源稳压二极管
参数
测试条件
Igs=±1mA
（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
BV
GSO(1)
栅源击穿电压
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
4/19
STP15NK50Z - STP15NK50ZFP - STB15NK50Z - STB15NK50Z - 1 - STW15NK50Z电气字符
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
3
3.75
0.30
分钟。
500
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
4.5
0.34
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
eq
(2)
.
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 7A
分钟。
典型值。
12
2260
264
64
150
76
15
40
20
23
62
15
106
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 400V ，我
D
= 14A
V
GS
=10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 250 V，I
D
=7A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图18）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 ％的V
DSS
5/19
STP15NK50Z / FP ， STB15NK50Z
STB15NK50Z -1， STW15NK50Z
N-CHANNEL500V-0.30-14ATO-220/FP/D
2
PAK / I
2
PAK/TO-247
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP15NK50Z
STP15NK50ZFP
STB15NK50Z
STB15NK50Z-1
STW15NK50Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500
500
500
500
500
V
V
V
V
V
R
DS （ ON）
< 0.34
< 0.34
< 0.34
< 0.34
< 0.34
I
D
14
14
14
14
14
A
A
A
A
A
Pw
160 W
40 W
160 W
160 W
160 W
TO-220
3
2
1
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.30
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220FP
TO-247
1
3
12
3
I
2
PAK
D
2
PAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
应用
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
s
内部原理图
订购信息
销售类型
STP15NK50Z
STP15NK50ZFP
STB15NK50ZT4
STB15NK50Z
STB15NK50Z-1
STW15NK50Z
记号
P15NK50Z
P15NK50ZFP
B15NK50Z
B15NK60Z
B15NK50Z
W15NK50Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-247
包装
管
管
磁带&卷轴
管
（ ONLY应请求）
管
管
2002年8月
1/14
STP15NK50Z ， STP15NK50ZFP ， STB15NK50Z ， STB15NK50Z -1， STW15NK50Z
绝对最大额定值
符号
参数
STP15NK50Z
STB15NK50Z
STB15NK50Z-1
价值
STP15NK50ZFP
STW15NK50Z
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
I
GS
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
栅极 - 源极电流（ DC ）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
14
8.8
56
160
1.28
500
500
± 30
14 (*)
8.8 (*)
56 (*)
40
0.32
± 20
4000
4.5
2500
-55到150
-55到150
-
14
8.8
56
160
1.28
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mA
V
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤14A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
I
2
PAK
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大（ ＃ ）
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
D
2
PAK
TO-220FP
3.1
60
62.5
300
50
TO-247
0.78
° C / W
° C / W
° C / W
°C
0.78
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
14
300
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
（ ＃ ）当安装在最小的足迹
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/14
STP15NK50Z ， STP15NK50ZFP ， STB15NK50Z ， STB15NK50Z -1， STW15NK50Z
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7 A
3
3.75
0.30
分钟。
500
1
50
±10
4.5
0.34
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 7 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
12
2260
264
64
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 7 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 14 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
23
76
15
40
106
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 7 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 14 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
62
15
13
11
28
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 14 A，V
GS
= 0
I
SD
= 14 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 29V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
428
4.2
20
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
14
56
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/14
STP15NK50Z ， STP15NK50ZFP ， STB15NK50Z ， STB15NK50Z -1， STW15NK50Z
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区TO- 247
热阻抗对于TO- 247
4/14
STP15NK50Z ， STP15NK50ZFP ， STB15NK50Z ， STB15NK50Z -1， STW15NK50Z
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/14
QQ：2881677436 复制
