STP13NK60Z / FP ， STB13NK60Z
STB13NK60Z -1， STW13NK60Z
N沟道600V - 0.48Ω -13A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK/TO-247
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP13NK60Z
STP13NK60ZFP
STB13NK60Z
STB13NK60Z-1
STW13NK60Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600
600
600
600
600
V
V
V
V
V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.55
＆ LT ; 0.55
＆ LT ; 0.55
＆ LT ; 0.55
＆ LT ; 0.55
I
D
13
13
13
13
13
A
A
A
A
A
Pw
150 W
35 W
150 W
150 W
150 W
TO-220
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.48
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220FP
3
2
1
TO-247
1
23
3
1
D
2
PAK
我PAK
2
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购信息
销售类型
STP13NK60Z
STP13NK60ZFP
STB13NK60ZT4
STB13NK60Z
STB13NK60Z-1
STW13NK60Z
2003年2月
记号
P13NK60Z
P13NK60ZFP
B13NK60Z
B13NK60Z
B13NK60Z
W13NK60Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-247
包装
管
管
磁带&卷轴
管
（ ONLY应请求）
管
管
1/14
STP13NK60Z ， STP13NK60ZFP ， STB13NK60Z ， STB13NK60Z -1， STW13NK60Z
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STP13NK60Z
STB13NK60Z/-1
STW13NK60Z
STP13NK60ZFP
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
13
8.2
52
150
1.20
600
600
± 30
13 (*)
8.2 (*)
52 (*)
35
0.27
4000
4.5
2500
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤13
A， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
I
2
PAK
TO-247
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大（ ＃ ）
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.83
60
62.5
300
D
2
PAK
TO-220FP
3.6
° C / W
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
400
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
（ ＃ ）当安装在最小的足迹
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/14
STP13NK60Z ， STP13NK60ZFP ， STB13NK60Z ， STB13NK60Z -1， STW13NK60Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
3
3.75
0.48
分钟。
600
1
50
±10
4.5
0.55
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 5 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
11
2030
210
48
125
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480 V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
22
14
66
11
33
92
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 10 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
61
12
10
9
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
= 0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 35 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
570
4.5
16
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/14
STP13NK60Z ， STP13NK60ZFP ， STB13NK60Z ， STB13NK60Z -1， STW13NK60Z
安全工作区TO-220 / D
2
PAK / I
2
PAK
对于TO- 220 / D热阻抗
2
PAK / I
2
PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区TO- 247
热阻抗对于TO- 247
4/14
STP13NK60Z ， STP13NK60ZFP ， STB13NK60Z ， STB13NK60Z -1， STW13NK60Z
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/14
STB13NK60Z - STB13NK60Z - 1
STP13NK60Z / FP - STW13NK60Z
N沟道600V - 0.48Ω - 13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247
齐纳保护的超网 MOSFET
一般特点
TYPE
STB13NK60Z-1
STB13NK60Z
STP13NK60ZFP
STP13NK60Z
STW13NK60Z
■
■
■
包
R
DS （ ON）
<0.55
<0.55
<0.55
<0.55
<0.55
I
D
13 A
13 A
13 A
13 A
13 A
Pw
150 W
150 W
35 W
150 W
150 W
V
DSS
600
600
600
600
600
V
V
V
V
V
3
1
2
TO-220
3
1
2
3
12
IPAK
TO-220FP
3
2
1
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEABILITY
TO-247
3
1
DPAK
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
应用
■
■
■
大电流，高开关速度
开关模式电源
DC -AC转换器，用于焊接， UPS
和电机驱动
订购代码
销售类型
STB13NK60Z-1
STB13NK60ZT4
STP13NK60ZFP
STP13NK60Z
STW13NK60Z
2005年9月
记号
B13NK60Z-1
B13NK60Z
P13NK60ZFP
P13NK60Z
W13NK60Z
包
IPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
管
磁带&卷轴
管
管
管
REV 2
1/17
www.st.com
17
1电气额定值
STB13NK60Z - STB13NK60Z - 1 - STP13NK60Z / FP - STW13NK60Z
1
表1中。
电气额定值
绝对最大额定值
参数
价值
的TO-220 / TO-247
IPAK / DPAK
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
13
8.2
52
150
1.20
4000
4.5
--
-55到150
2500
600
600
± 30
13 （注1 ）
8.2 （注1 ）
52 （注1 ）
35
0.27
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
符号
I
DM
记
2
P
合计
VESD （G -S ）
摹-S ESD （ HBM C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
dv / dt的
记
3峰值二极管恢复电压斜率
V
ISO
T
j
T
英镑
绝缘耐压Volatge （ DC ）
工作结温
储存温度
表2中。
热数据
TO-220
IPAK / TO-247
DPAK
TO-220FP
3.6
60
62.5
300
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
RthJ -PCB
记
7
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
--
0.83
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或
不重复性（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
= 50V)
最大值
10
400
单位
A
mJ
2/17
STB13NK60Z - STB13NK60Z - 1 - STP13NK60Z / FP - STW13NK60Z
2电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.5 A
3
3.75
0.48
分钟。
600
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
4.5
0.55
表5 。
符号
g
fs
记
4
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
记
5
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 8V ，我
D
= 5 A
分钟。
典型值。
11
2030
210
48
125
66
11
33
92
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
输出电容
反向传输电容
等效输出继电器容量V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 480V ，我
D
= 10A
V
GS
=10V
（参见图19）
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
V
DD
= 300 V，I
D
= 5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
V
DD
= 480 V，I
D
= 10A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
分钟。
典型值。
22
14
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
61
12
10
9
20
ns
ns
ns
ns
ns
3/17
2电气特性
STB13NK60Z - STB13NK60Z - 1 - STP13NK60Z / FP - STW13NK60Z
表7中。
符号
BV
GSO
记
6
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
Igs=±1mA
（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
记
2
V
SD
记
4
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
=0
I
SD
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 35 V ， TJ = 150℃
570
4.5
16
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（1）限定仅由最大允许温度
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区
(3) I
SD
≤13A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 4 ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
(5) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加
到80％
（6）内置的背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅器件的ESD能力，
同时也让他们安全地吸收，可能偶尔会从门适用于源可能的电压瞬变。在
这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和成本有效的干预，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
（ 7 ）当安装在最小的足迹
4/17
STB13NK60Z - STB13NK60Z - 1 - STP13NK60Z / FP - STW13NK60Z
2电气特性
2.1
电特性（曲线）
安全工作区TO- 220 /
DPAK / IPAK
图2中。
热Impedanc为TO- 220 /
DPAK / IPAK
图1 。
网络连接gure 3 。
安全工作区TO- 220FP
图4中。
热阻抗对于TO- 220FP
图5中。
安全工作区TO- 247
图6 。
热阻抗对于TO- 247
5/17
QQ：2881677436 复制
