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STP120NF10 ， STB120NF10
STF120NF10 ， STW120NF10
N型沟道100伏， 0.009
110一个的STripFET II功率MOSFET
,
在TO-247 ， TO-220， DPAK ，TO- 220FP
特点
TYPE
STW120NF10
STP120NF10
STB120NF10
STF120NF10
■
■
■
V
DSS
R
DS （ ON） MAX
I
D
110 A
110 A
110 A
41 A
3
1
100V
<0.0105
DPAK
TO-247
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
1
2
3
1
2
3
TO-220
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些设备是N沟道功率MOSFET
实现了与意法半导体独有的
的STripFET 工艺已明确了
旨在最大限度地减少导通电阻。这是
因此适合作为晚期原发性开关
高效率，高频隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。
它也适用于具有低的任何应用程序
栅极驱动器的要求。
表1中。
设备简介
记号
B120NF10
120NF10
P120NF10
W120NF10
套餐
DPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
管
包装
磁带和卷轴
订购代码
STB120NF10
STF120NF10
STP120NF10
STW120NF10
2011年5月
文档编号9522版本7
1/21
www.st.com
21
目录
STB/F/PW120NF10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
2/21
文档编号9522版本7
STB/F/PW120NF10
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 ，TO- 247 ，
TO-220FP
DPAK
100
± 20
110
77
440
312
2.08
10
550
-55至175
41
(1)
29
(1)
164
(1)
45
0.30
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
J
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高温度允许的。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
120 A， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
= 80%V
（ BR ） DSS
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 60 A，V
DD
= 50 V
表3中。
符号
热阻
价值
参数
的TO-220 TO-247 DPAK TO- 220FP
0.48
62.5
35
300
300
3.33
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ - AMB
热阻结到环境
最大
R
thj-pcb(1)
热阻结到PCB最大
T
L
最大无铅焊接温度的
用途
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜
文档编号9522版本7
3/21
电气特性
STB/F/PW120NF10
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60 A
(1)
2
0.009
分钟。
100
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
4
0.0105
1.对于TO- 220FP我
D
= 40 A
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V，I
D
= 60 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 80 V，I
D
= 120 A
V
GS
=10 V
（参见图16）
-
分钟。
-
典型值。
90
5200
785
325
172
32
64
233
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/21
文档编号9522版本7
STB/F/PW120NF10
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 60 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图15）
-
分钟。
典型值。
25
90
132
68
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A，V
GS
=0
I
SD
=120 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 40 V ， TJ = 150℃
（参见图20）
-
测试条件
分钟。
-
-
-
152
760
10
典型值。
马克斯。
110
440
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
文档编号9522版本7
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