STP11NM60FD- STB11NM60FD
STP11NM60FDFP - STB11NM60FD - 1
N沟道600V - 0.40Ω - 11ATO -220 / TO- 220FP / I
2
PAK / D
2
PAK
FDmesh 功率MOSFET （具有快速二极管）
TYPE
STP11NM60FD
STP11NM60FDFP
STB11NM60FD
STB11NM60FD-1
V
DSS
600
600
600
600
V
V
V
V
R
DS （ ON）
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
0.45
0.45
0.45
0.45
I
D
11 A
11 A
11 A
11 A
1
3
2
1
3
2
典型
DS
（上） = 0.40Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
严格的流程控制和高
生产产量
描述
该FDmesh 联营重新的所有优点
duced导通电阻和快速开关与IN-
trinsic快速恢复的体二极管。因此，它是
强烈建议在桥拓扑结构，主要做法
满足特殊ZVS移相器。
TO-220
TO-220FP
3
1
3
12
D
2
PAK
I
2
PAK
内部原理图
应用
ZVS移相全桥
转换器开关电源和焊接
设备
订购代码
产品型号
STP11NM60FD
STP11NM60FDFP
STB11NM60FDT4
STB11NM60FD-1
记号
P11NM60FD
P11NM60FDFP
B11NM60FD
B11NM60FD
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
I
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
管
2004年2月
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STP11NM60FD - STP11NM60FDFP - STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STP11NM60FD
STB11NM60FD
STB11NM60FD-1
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-65到150
11
7
44
160
0.88
20
2500
600
600
±30
11 (*)
7 (*)
44 (*)
35
0.28
STP11NM60FDFP
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1)I
SD
<11A ，二/ dt<400A / μs的，V
DD
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, T
J
＆ LT ;吨
JMAX
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220/I
2
PAK
D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.78
62.5
300
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
最大值
5.5
350
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5 A
3
4
0.40
分钟。
600
1
100
±100
5
0.45
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
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STP11NM60FD - STP11NM60FDFP - STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 5.5A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5.2
1000
208
28
100
3
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 250V ，我
D
= 5.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 11A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
16
28
7.8
13
40
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400V ，我
D
= 11A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
10
15
24
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11A ，V
GS
= 0
I
SD
= 11A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V
（见测试电路，图5 ）
190
1.1
14.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
11
44
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
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STP11NM60FD - STP11NM60FDFP - STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1
安全工作的TO- 220 / I
2
PAK / D
2
PAK
安全工作区TO- 220FP
对于TO- 220 / I热阻抗
2
PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
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STP11NM60FD - STP11NM60FDFP - STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
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QQ：2880707522 复制
