START450
NPN硅晶体管RF
压缩点的P1dB = 19dBm @ 1.8GHz的
过渡频率42GHz
高线性度
超微型SOT343 ( SC70 )封装
SOT343 ( SC70 )
订货编号
START450TR
BRANDING
450
描述
该START450是在START家族的一个成员是
提供先进的RF硅工艺中的状态
市场。 Manufacturated在第三代的ST
专利双极工艺制造,它提供的最佳组合
增益和噪声系数对于给定的击穿电压( BVceo下) 。
它仅提供存档的GaAs的性能水平
产品前。
应用
低噪声放大器用于GSM / DCS ,DECT, PCS ,PCN
CDMA,W- CDMA的
PREDRIVER用于DECT
通用的500MHz - 5GHz的
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
c
I
b
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
总功耗,T
s
=
待定
储存温度
马克斯。工作结温
参数
价值
4.5
15
1.5
100
10
450
-65到150
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
C
o
C
绝对最大额定值
R
thjs
热电阻结焊接点
最大
≤
120
o
C / W
20 2002年11月
1/7
START450
电气特性
(T
j
=25
o
C,除非另有规定)
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
NFmin
Ga
|S21|
2
大湄公河次区域
(1)
P
-1dB
OIP3
参数
收藏家Cuto FF电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
Minimim噪声系数
NFmin相关增益
插入功率增益
最大稳定增益
1dB压缩点
输出中的三阶
截取点
测试条件
VCB = 5V , IE = 0A
VEB = 1.5V , IC = 0A
IC = 50mA时的Vce = 4V
IC = 10毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的,
Z
s
= Z
s
选择
IC = 10毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 50mA时的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 50mA时的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 50mA时的Vce = 3V , F = 1.8GHz的
IC = 50mA时的Vce = 3V , F = 1.8GHz的
160
1.2
13
13.7
19.1
19
29
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
分钟。
典型值。
马克斯。
150
15
单位
nA
A
注( 1 ) :克= | S
21
/ S
12
|
引脚
引脚连接
4
3
PIN号
描述
BASE
集热器
辐射源
顶视图
1
2
1
3
2,4
SOT343
2/7
START450
SPICE参数(的Gummel -潘型号,伯克利- SPICE 2G.6语法)
晶体管芯片数据
符号
TMEAS
IS
ISE
NR
ISC
IKF
TR
XTF
RB
RC
CJE
CJC
CJS
价值
27.0
1.9E-16
1.9E-12
1
3.19E-15
{1.448*((T(
o
C)+273.15)/
300.15)^(-1.6)}
7E-10
20
2.7
1.38
1462E-15
660E-15
425E-15
符号
FC
EG
NF
NE
BR
NC
PTF
创新及科技基金
RBM
RE
VJE
VJC
VJS
价值
0.8
1.12
1
2.658
13.7
1.5
35
4.8
0.64
0.15
1.1
0.84
0.453
符号
XJBC
XTI
BF
VAF
变种
TF
VTF
MJE
MJC
MJS
IKR
XTB
价值
0.3
4.51
295
40
2.5
3.1E-12
27
0.44
0.31
0.281
43.5E-3
-0.32
包装等效电路
C2
C = 21 fF的
B
.
L4
L = 0.3 nH的
.
L3
L = 0.8 nH的
B’
晶体管
芯片
E’
L1
C’
L5
L = 0.1 nH的
.
L6
L = 0.3 nH的
.
C
L = 0.15 nH的
C1
C = 740 fF的
L2
.
.
E
C3
C = 785 fF的
L = 0.05 nH的
为了避免高的封装的等效电路的复杂性, SOT- 343的两个发射极引线
包组合在一个电连接。
为了更准确模拟在饱和区:
添加在表A显示了5 SPICE参数和使用
ST香料库
(应要求提供),你
可以实现更精确的仿真工作在饱和区。 ST香料库兼容
以下仿真: ELDO MENTOR (任何版本) ,幽灵CADENCE (任何版本) , ADS (版本
2001年只) 。
表A ( SPICE参数在饱和区中提取)
RW
2.594
Vjj
0.769
ENP
2.45
VRP
{4.64*((TEMPER+273.15)/300.15)^(1.5)}
RP
1.00E-6
3/7