START405
NPN硅晶体管RF
低噪声系数: NFmin = 1.1分贝
@ 1.8GHz的, 2毫安, 2V
压缩的P1dB = 5dBm的
@ 1.8GHz的, 5毫安, 2V
过渡频率42GHz
低电流消耗
超微型SOT343封装
SOT343 ( SC70 )
订货编号
START405TR
BRANDING
405
描述
该START405是在START家族的一个成员
提供射频硅工艺的现有技术的状况
推向市场。 Manufacturated在第三
代的ST专有的双极工艺,它
提供增益和噪声系数的最佳组合为给定的
击穿电压( BVceo下) 。
它仅提供存档的GaAs的性能水平
产品前。
应用
低噪声放大器用于GSM / DCS ,DECT, PCS ,PCN
CDMA,W- CDMA的
通用的500MHz - 5GHz的
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
c
I
b
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
总功耗,T
s
=
待定
储存温度
马克斯。工作结温
参数
价值
4.5
15
1.5
10
1
45
-65到150
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值
R
thjs
热电阻结焊接点
270
o
C / W
3 2002年7月
1/7
START405
电气特性
(T
j
=25
o
C,除非另有规定)
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
NFmin
Ga
|S21|
2
大湄公河次区域
(1)
P
-1dB
OIP3
参数
收藏家Cuto FF电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
Minimim噪声系数
NFmin相关增益
插入功率增益
最大稳定增益
1dB压缩点
输出中的三阶
截取点
测试条件
VCB = 5V , IE = 0A
VEB = 1.5V , IC = 0A
IC = 5毫安,的Vce = 4V
IC = 2毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 2毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 5毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 5毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 5毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
IC = 5毫安,的Vce = 2V , F = 1.8GHz的
160
1.1
19
17.4
24.2
5
15
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
分钟。
典型值。
马克斯。
150
15
单位
nA
A
注( 1 ) :克= | S
21
/ S
12
|
引脚
4
3
引脚连接
顶视图
1
2
PIN号
1
3
2,4
描述
BASE
集热器
辐射源
SOT343
2/7
START405
SPICE参数(的Gummel -潘型号,伯克利- SPICE 2G.6语法)
晶体管芯片数据
符号
TMEAS
IS
ISE
NR
ISC
IKF
TR
XTF
RB
RC
CJE
CJC
CJS
价值
27.0
1.9E-17
1.58E-13
1
7.40E-17
{0.151*((T(
o
C)+273.15)/
300.15)^(-1.774)}
7E-10
42
34.07
7.9
111E-15
53E-15
33E-15
符号
FC
EG
NF
NE
BR
NC
PTF
创新及科技基金
RBM
RE
VJE
VJC
VJS
价值
0.5
1.12
1
2.711
8.59
1.312
38
0.42
6.1
1.25
1.1
0.69
0.4
符号
XJBC
XTI
BF
VAF
变种
TF
VTF
MJE
MJC
MJS
IKR
XTB
价值
0.3
3.57
340
79
2.35
4.1E-12
14.7
0.414
0.266
0.22
2.29E-3
-0.744
包装等效电路
C2
C = 5 fF的
B
.
L4
L = 0.6 nH的
.
L3
B’
L = 0.35 nH的
晶体管
芯片
E’
L1
C’
L5
L = 0.3 nH的
.
L6
L = 0.6 nH的
.
C
L = 0.3 nH的
C1
C = 430 fF的
L2
.
.
E
C3
C = 300 fF的
L = 0.15 nH的
为了避免高的封装的等效电路的复杂性, SOT- 343的两个发射极引线
包组合在一个电连接。
为了更准确模拟在饱和区:
添加在表A显示了5 SPICE参数和使用
ST香料库
(应要求提供),你
可以实现更精确的仿真工作在饱和区。 ST香料库兼容
以下仿真: ELDO MENTOR (任何版本) ,幽灵CADENCE (任何版本) , ADS (版本
2001年只) 。
表A ( SPICE参数在饱和区中提取)
RW
2.594
Vjj
0.769
ENP
2.045
VRP
{8.67*((TEMPER+273.15)/300.15)^(0.839)}
RP
1.00E-6
3/7