【STA6611SAMHOP微电子股份有限公司2006年11月22日双增强模式场效应晶体管（ N和P沟】,IC型号STA6611,STA6611 PDF资料,STA6611经销商,ic,电子元器件-51电子网

STA6611

SAMHOP微电子股份有限公司

2006年11月22日

双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道）

产品概述

DSS

30V

（ N沟道）

最大

产品概述

DSS

-30V

（ P沟道）

最大

7.6A

DS （ ON）（M

)

-6.6A

DS （ ON）（M

)

23 @ V

= 10V

30 @ V

= 4.5V

35 @ V

= -10V

55 @ V

= -4.5V

P DIP -8

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

P ARAMETER

漏-S环境允许的电压

门-S环境允许的电压

漏光凭目前 -C ontinuous @助教

-P ulsed

S ymbol

25 C

70 C

TA = 70℃

, T

s TG

N沟道P沟道

7.6

1.7

-55到150

-30

- 6.6

5.3

-1.7

单位

漏-S环境允许的二极管正向光凭目前

最大P奥尔耗散

工作结点和S torage

温度法兰

TA = 25℃

第r MAL HAR AC TE R是TIC S

热 esistance ，结到环境

41.5

C / W

S T一6611

N沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 24V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10V ，我

=7A

= 4.5V ，我

=5A

= 15V, V

= 10V

= 10V ，我

=7A

最小值典型值

最大单位

1.0

1.7

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

兆欧

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

兆欧

620

190

115

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

=15V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= 15V,

= 7A,

R L = 2.1欧姆，

= 10V,

根

6欧姆

= 15V ，我

=7A,V

=10V

= 15V ，我

=7A,V

=4.5V

= 15V ，我

= 7A,

=10V

14.4

8.4

6.8

1.5

3.5

S T A6611

P沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

S ymbol

条件

= 0V时，我

= -250uA

= -24V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= -250uA

= -10V ，我

= -6A

= -4.5V ，我

= -4A

= -15V, V

= -10V

= -15V ，我

= - 6A

最小值典型值

最大单位

-30

-1

-1.9

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

-3

兆欧

9.5

850

205

105

= -15V,

= 15欧姆，

= -1A,

= -10V,

根

= 6欧姆

=-15V,I

=-6A,V

=-10V

=-15V,I

=-6A,V

=-4.5V

= -15V ，我

= - 6A,

=-10V

-20

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

=-15V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

12.5

17.5

7.5

1.7

4.5

S T A6611

电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

条件

= 0V ，是= 1.7A

= 0V ，是= -1.7A

N沟道

P沟道

最小典型最大单位

0.8

-0.8

1.2

-1.2

漏源二极管的特性

笔记

a.Surface安装在FR4板，T 10秒。

b.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

N沟道

=10V

=4V

=4.5V

，漏电流（ A）

=3.5V

TJ = 125℃

-55 C

25 C

=3V

=2.5V

0.5

1.5

2.5

0.7

1.4

2.1

2.8

3.5

4.2

，漏极至源极电压（ V）

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

1.75

图2.传输特性

DS （ ON）

，在-R es是tance

归

1.60

1.45

1.30

1.15

1.00

0.85

-25

的s

=4.5V

=5A

的s

=10V

=7A

DS （ ON）

)

的s

=4.5V

的s

=10V

100

125 150

T J （ C）

，排水光凭目前（A ）

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前

和G吃了V oltage

F igure 4.在-R es是tance与变化

排水光凭目前与温度

S T A6611

B V

DS S

归一化

漏-S环境允许B reakdown V oltage

V th时，归一化

摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50 -25

100 125 150

的s

=250uA

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

100 125 150

=250uA

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation

以T emperature

F igure 6. B reakdown V oltage V ariation

以T emperature

20.0

=7A

是，S环境允许的漏电流（ A）

10.0

125 C

DS （ ON）

)

75 C

25 C

125 C

25 C

75 C

1.0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

的s

，G吃-S环境允许的电压（V ）

S.D。

，B ODY二极管F orward V oltage （ V）

F igure 7.在-R es是tance VS 。

摹吃-S环境允许的V oltage

F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage

V ariation带S环境允许光凭目前

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