STA508
40V 4.5A四路电源半桥
1
■
■
特点
MULTIPOWER BCD技术
最小输入输出的脉冲宽度
失真
在200mΩ
DSON
互补DMOS
输出级
CMOS兼容逻辑输入
热保护
热报警输出
欠压保护
图1.包装
PowerSO36
■
表1.订购代码
产品型号
STA508
包
PowerSO36
■
■
■
■
2
描述
STA508是Mul-单片四路半桥阶段
tipower BCD技术。该装置可被用作
双桥或重新配置，通过连接CONFIG
引脚连接到VDD引脚，与目前的双单桥
能力，并作为半桥（二进制模式）与半
电流的能力。
图2.框图
该装置被特别设计成使输出
把一个立体全数字高效率的阶段
（ DDX ）功率放大器能够提供80 + 80W @
在V THD = 10％
cc
35V的输出功率在8Ω负载。
在单BTL结构还能够提供
160W @THD的峰值= 10 ％，在V
CC
= 35V在4Ω
载荷（t
≤1sec).
输入引脚具有阈值的比例
佐丹奴国的Ibias引脚电压。
V
CC
1A
IN1A
IN1A
+3.3V
V
L
CONFIG
PWRDN
R57
10K
R59
10K
C58
100nF
TH_WAR
IN1B
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
C58
100nF
C53
100nF
C60
100nF
IN2A
V
CC
标志
V
CC
标志
IN2A
GND -注册
GND清洁
21
22
33
34
M17
35
8
9
36
31
20
19
M16
M15
稳压器
7
V
CC
2A
C32
1F
OUT2A
OUT2A
6
GND2A
PWRDN
故障
23
24
25
27
26
三州
PROTECTIONS
＆放大器;
逻辑
M5
28
30
M4
13
M2
29
M3
15
17
16
C30
1F
OUT1A
OUT1A
14
GND1A
C52
330pF
+V
CC
C55
1000F
L18 22μH
C20
100nF
R98
6
C99
100nF
C23
470nF
C101
100nF
8
12
V
CC
1B
C31
1F
OUT1B
OUT1B
GND1B
R63
20
R100
6
C21
100nF
L19 22μH
11
10
TH_WAR
IN1B
L113 22μH
C110
100nF
C109
330pF的R103
6
R104
20
C107
100nF
C108
470nF
C106
100nF
8
4
V
CC
2B
C33
1F
OUT2B
OUT2B
R102
6
C111
100nF
3
2
IN2B
IN2B
GNDSUB
32
M14
L112 22μH
1
5
GND2B
D00AU1148B
2004年6月
第2版
1/10
STA508
表3.功能引脚状态
引脚名称
故障
故障
(*)
三州
三州
PWRDN
PWRDN
THWAR
THWAR
(*)
CONFIG
CONFIG
(**)
逻辑值
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
IC -Status
检测到故障（短路或热..）
正常工作
在Hi-Z状态一切权力
正常工作
低absorpion
正常工作
IC的温度= 130℃
正常工作
正常工作
OUT1A = OUT1B ; OUT2A = OUT2B
（ IF IN1A = IN1B ; IN2A = IN2B ）
（ * ） ：该引脚为集电极开路。到具有高逻辑值时，它需要被拉到由电阻。
（ ** ） ：为了把CONFIG = 1表示连接引脚24 （ CONFIG）至21引脚， 22 （ VDD）
图3.引脚连接
V
CC
标志
V
CC
标志
V
SS
V
SS
IN2B
IN2A
IN1B
IN1A
TH_WAR
故障
三州
PWRDN
CONFIG
VL
VDD
VDD
GND -注册
GND清洁
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
D01AU1273
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
GND -SUB
OUT2B
OUT2B
V
CC
2B
GND2B
GND2A
V
CC
2A
OUT2A
OUT2A
OUT1B
OUT1B
V
CC
1B
GND1B
GND1A
V
CC
1A
OUT1A
OUT1A
北卡罗来纳州
表4.热数据
符号
描述
价值
最大1.5
单位
° C / W
R
第j个例
热阻结案件
3/10
STA508
表5.绝对最大额定值
符号
V
CE
V
最大
P
合计
T
op
T
英镑
, T
j
参数
直流电源电压（引脚4,7,12,15 ）
引脚23 32最大电压
功率耗散（T
例
= 70°C)
工作温度范围
储存和结温
价值
40
5.5
50
0到70
-40至150
单位
V
V
W
°C
°C
表6.电气特性的影响
(V
L
= 3.3V; V
CC
= 30V ;牛逼
AMB
= 25°C ; F
sw
= 384 ，除非
另有规定）
符号
R
DSON
I
DSS
g
N
g
P
Dt_s
Dt_d
t
D ON
t
D OFF
t
r
t
f
V
CC
V
IN- HIGH
V
IN- LOW
I
IN- HIGH
I
IN- LOW
参数
功率P沟道/ N沟道
MOSFET的RDSON
功率P沟道/ N沟道
泄漏的Idss
P沟道功率RDSON
匹配
功率N沟道RDSON
匹配
低电流死区时间（静态）
Id=1A
V
CC
=35V
Id=1A
Id=1A
见测试电路1号;参见图。 4
95
95
10
20
50
100
100
25
25
9
36
V
L
/2
+300mV
V
L
/2 -
300mV
引脚电压= V
L
引脚电压= 0.3V
V
L
= 3.3V
V
L
= 3.3V
0.8
1
1
35
测试条件
分钟。
典型值。
200
马克斯。
270
50
单位
m
A
%
%
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
V
A
A
A
V
大电流死区时间（ DINAMIC ） L = 22μH ; C = 470nF的;
L
= 8
ID = 3.5A ;参见图。 3
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
电源电压工作电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
阻性负载
阻性负载
电阻性负载;图4为
电阻性负载;如所示。 4
I
PWRDN -H
高层次PWRDN引脚输入
当前
V
L
低逻辑状态电压VL （引脚
PWRDN ，三态） （注1 ）
4/10
STA508
表6.电气特性的影响
（续）
符号
V
H
I
VCC-
PWRDN
I
故障
参数
高逻辑状态电压VH （引脚
PWRDN ，三态） （注1 ）
从Vcc电源电流
掉电
输出电流引脚
FAULT -TH - WARN时
故障条件
从Vcc在三 - 电源电流
状态
从Vcc电源电流
手术
这两个频道切换）
短路电流Isc （短路电流限制）
（注2 ）
欠压保护阈值
输出的最小脉冲宽度
空载
70
测试条件
V
L
= 3.3V
PWRDN = 0
分钟。
典型值。
马克斯。
1.7
3
单位
V
mA
VPIN = 3.3V
V
CC
= 30V ;三态= 0
V
CC
=30V;
输入脉冲宽度= 50 ％责任;
开关频率= 384Khz ;
无LC滤波器;
4.5
1
22
50
mA
mA
mA
I
VCC - HIZ
I
VCC
I
VCC -Q
V
OUT- SH
V
OV
6
7
9
A
V
150
ns
表7中。
注：1。下表说明了VLOW ， VHIGH变化与的Ibias
V
L
2.7
3.3
5
VLOW分钟
0.7
0.8
0.85
VHIGH最大
1.5
1.7
1.85
单位
V
V
V
注2 ：请参阅相关的应用笔记AN1994
表8.逻辑真值表（参见图5）
三州
0
1
1
1
1
INxA
x
0
0
1
1
INxB
x
0
1
0
1
Q1
关闭
关闭
关闭
ON
ON
Q2
关闭
关闭
ON
关闭
ON
Q3
关闭
ON
ON
关闭
关闭
Q4
关闭
ON
关闭
ON
关闭
产量
模式
高阻
DUMP
负
积极
未使用
5/10
STA508
40V 4.5A四路电源半桥
1
■
■
特点
MULTIPOWER BCD技术
最小输入输出的脉冲宽度
失真
在200mΩ
DSON
互补DMOS
输出级
CMOS兼容逻辑输入
热保护
热报警输出
欠压保护
图1.包装
PowerSO36
■
表1.订购代码
产品型号
STA508
包
PowerSO36
■
■
■
■
2
描述
STA508是Mul-单片四路半桥阶段
tipower BCD技术。该装置可被用作
双桥或重新配置，通过连接CONFIG
引脚连接到VDD引脚，与目前的双单桥
能力，并作为半桥（二进制模式）与半
电流的能力。
图2.框图
该装置被特别设计成使输出
把一个立体全数字高效率的阶段
（ DDX ）功率放大器能够提供80 + 80W @
在V THD = 10％
cc
35V的输出功率在8Ω负载。
在单BTL结构还能够提供
160W @THD的峰值= 10 ％，在V
CC
= 35V在4Ω
载荷（t
≤1sec).
输入引脚具有阈值的比例
佐丹奴国的Ibias引脚电压。
V
CC
1A
IN1A
IN1A
+3.3V
V
L
CONFIG
PWRDN
R57
10K
R59
10K
C58
100nF
TH_WAR
IN1B
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
C58
100nF
C53
100nF
C60
100nF
IN2A
V
CC
标志
V
CC
标志
IN2A
GND -注册
GND清洁
21
22
33
34
M17
35
8
9
36
31
20
19
M16
M15
稳压器
7
V
CC
2A
C32
1F
OUT2A
OUT2A
6
GND2A
PWRDN
故障
23
24
25
27
26
三州
PROTECTIONS
＆放大器;
逻辑
M5
28
30
M4
13
M2
29
M3
15
17
16
C30
1F
OUT1A
OUT1A
14
GND1A
C52
330pF
+V
CC
C55
1000F
L18 22μH
C20
100nF
R98
6
C99
100nF
C23
470nF
C101
100nF
8
12
V
CC
1B
C31
1F
OUT1B
OUT1B
GND1B
R63
20
R100
6
C21
100nF
L19 22μH
11
10
TH_WAR
IN1B
L113 22μH
C110
100nF
C109
330pF的R103
6
R104
20
C107
100nF
C108
470nF
C106
100nF
8
4
V
CC
2B
C33
1F
OUT2B
OUT2B
R102
6
C111
100nF
3
2
IN2B
IN2B
GNDSUB
32
M14
L112 22μH
1
5
GND2B
D00AU1148B
2004年6月
第2版
1/10
STA508
表3.功能引脚状态
引脚名称
故障
故障
(*)
三州
三州
PWRDN
PWRDN
THWAR
THWAR
(*)
CONFIG
CONFIG
(**)
逻辑值
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
IC -Status
检测到故障（短路或热..）
正常工作
在Hi-Z状态一切权力
正常工作
低absorpion
正常工作
IC的温度= 130℃
正常工作
正常工作
OUT1A = OUT1B ; OUT2A = OUT2B
（ IF IN1A = IN1B ; IN2A = IN2B ）
（ * ） ：该引脚为集电极开路。到具有高逻辑值时，它需要被拉到由电阻。
（ ** ） ：为了把CONFIG = 1表示连接引脚24 （ CONFIG）至21引脚， 22 （ VDD）
图3.引脚连接
V
CC
标志
V
CC
标志
V
SS
V
SS
IN2B
IN2A
IN1B
IN1A
TH_WAR
故障
三州
PWRDN
CONFIG
VL
VDD
VDD
GND -注册
GND清洁
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
D01AU1273
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
GND -SUB
OUT2B
OUT2B
V
CC
2B
GND2B
GND2A
V
CC
2A
OUT2A
OUT2A
OUT1B
OUT1B
V
CC
1B
GND1B
GND1A
V
CC
1A
OUT1A
OUT1A
北卡罗来纳州
表4.热数据
符号
描述
价值
最大1.5
单位
° C / W
R
第j个例
热阻结案件
3/10
STA508
表5.绝对最大额定值
符号
V
CE
V
最大
P
合计
T
op
T
英镑
, T
j
参数
直流电源电压（引脚4,7,12,15 ）
引脚23 32最大电压
功率耗散（T
例
= 70°C)
工作温度范围
储存和结温
价值
40
5.5
50
0到70
-40至150
单位
V
V
W
°C
°C
表6.电气特性的影响
(V
L
= 3.3V; V
CC
= 30V ;牛逼
AMB
= 25°C ; F
sw
= 384 ，除非
另有规定）
符号
R
DSON
I
DSS
g
N
g
P
Dt_s
Dt_d
t
D ON
t
D OFF
t
r
t
f
V
CC
V
IN- HIGH
V
IN- LOW
I
IN- HIGH
I
IN- LOW
参数
功率P沟道/ N沟道
MOSFET的RDSON
功率P沟道/ N沟道
泄漏的Idss
P沟道功率RDSON
匹配
功率N沟道RDSON
匹配
低电流死区时间（静态）
Id=1A
V
CC
=35V
Id=1A
Id=1A
见测试电路1号;参见图。 4
95
95
10
20
50
100
100
25
25
9
36
V
L
/2
+300mV
V
L
/2 -
300mV
引脚电压= V
L
引脚电压= 0.3V
V
L
= 3.3V
V
L
= 3.3V
0.8
1
1
35
测试条件
分钟。
典型值。
200
马克斯。
270
50
单位
m
A
%
%
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
V
A
A
A
V
大电流死区时间（ DINAMIC ） L = 22μH ; C = 470nF的;
L
= 8
ID = 3.5A ;参见图。 3
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
电源电压工作电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
阻性负载
阻性负载
电阻性负载;图4为
电阻性负载;如所示。 4
I
PWRDN -H
高层次PWRDN引脚输入
当前
V
L
低逻辑状态电压VL （引脚
PWRDN ，三态） （注1 ）
4/10
STA508
表6.电气特性的影响
（续）
符号
V
H
I
VCC-
PWRDN
I
故障
参数
高逻辑状态电压VH （引脚
PWRDN ，三态） （注1 ）
从Vcc电源电流
掉电
输出电流引脚
FAULT -TH - WARN时
故障条件
从Vcc在三 - 电源电流
状态
从Vcc电源电流
手术
这两个频道切换）
短路电流Isc （短路电流限制）
（注2 ）
欠压保护阈值
输出的最小脉冲宽度
空载
70
测试条件
V
L
= 3.3V
PWRDN = 0
分钟。
典型值。
马克斯。
1.7
3
单位
V
mA
VPIN = 3.3V
V
CC
= 30V ;三态= 0
V
CC
=30V;
输入脉冲宽度= 50 ％责任;
开关频率= 384Khz ;
无LC滤波器;
4.5
1
22
50
mA
mA
mA
I
VCC - HIZ
I
VCC
I
VCC -Q
V
OUT- SH
V
OV
6
7
9
A
V
150
ns
表7中。
注：1。下表说明了VLOW ， VHIGH变化与的Ibias
V
L
2.7
3.3
5
VLOW分钟
0.7
0.8
0.85
VHIGH最大
1.5
1.7
1.85
单位
V
V
V
注2 ：请参阅相关的应用笔记AN1994
表8.逻辑真值表（参见图5）
三州
0
1
1
1
1
INxA
x
0
0
1
1
INxB
x
0
1
0
1
Q1
关闭
关闭
关闭
ON
ON
Q2
关闭
关闭
ON
关闭
ON
Q3
关闭
ON
ON
关闭
关闭
Q4
关闭
ON
关闭
ON
关闭
产量
模式
高阻
DUMP
负
积极
未使用
5/10
QQ：2880707522 复制
