STA506A
45V 4A四路电源半桥
产品预览
1
■
■
特点
MULTIPOWER BCD技术
最小输入输出的脉冲宽度
失真
在200mΩ
DSON
互补DMOS
输出级
CMOS兼容逻辑输入
热保护
热报警输出
欠压保护
短路保护
图1.包装
■
PowerSO36
表1.订购代码
产品型号
STA506A
包
电力SO36 (弹头上)
■
■
■
■
■
桥(二进制模式),半流能力。
该装置被特别设计成使输出
把一个立体全数字高效率的阶段
( DDX )功率放大器能够提供60 + 60W @
在V THD = 10%
cc
在8Ω负载32V输出功率和
80W @ THD = 10在V %
CC
36V上的8Ω负载单
BTL配置。单BTL配置也
能够提供120W @THD的峰值=在10%
V
CC
= 32V在4Ω负载。输入引脚具有门槛
正比于V
L
引脚电压。
2
描述
STA506A是在单片四半桥级
MULTIPOWER BCD技术。
该装置可被用作双电桥或重新
置的,由CONFIG引脚连接到VDD引脚,单
双电流能力的桥梁,并作为半
图2.应用电路(双BTL )
V
CC
1A
IN1A
IN1A
+3.3V
V
L
CONFIG
PWRDN
R57
10K
R59
10K
C58
100nF
TH_WAR
IN1B
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
C58
100nF
C53
100nF
C60
100nF
IN2A
V
CC
标志
V
CC
标志
IN2A
GND -注册
GND清洁
21
22
33
34
M17
35
8
9
36
31
20
19
M16
M15
稳压器
7
V
CC
2A
C32
1F
OUT2A
OUT2A
6
GND2A
PWRDN
故障
23
24
25
27
26
三州
PROTECTIONS
&放大器;
逻辑
M5
28
30
M4
13
M2
29
M3
15
17
16
C30
1F
OUT1A
OUT1A
14
GND1A
C52
330pF
+V
CC
C55
1000F
L18 22μH
C20
100nF
R98
6
C99
100nF
C23
470nF
C101
100nF
8
12
V
CC
1B
C31
1F
OUT1B
OUT1B
GND1B
R63
20
R100
6
C21
100nF
L19 22μH
11
10
TH_WAR
IN1B
L113 22μH
C110
100nF
C109
330pF的R103
6
R104
20
C107
100nF
C108
470nF
C106
100nF
8
4
V
CC
2B
C33
1F
OUT2B
OUT2B
R102
6
C111
100nF
3
2
IN2B
IN2B
GNDSUB
32
M14
L112 22μH
1
5
GND2B
D00AU1148B
2004年11月
这是正在开发的新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
第2版
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STA506A
表3.功能引脚状态
引脚名称
故障
故障
(*)
三州
三州
PWRDN
PWRDN
THWAR
THWAR
(*)
CONFIG
CONFIG
(**)
(*) :
(**):
引脚n 。
27
27
26
26
25
25
28
28
24
24
逻辑值
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
IC -Status
检测到故障(短路或热..)
正常工作
在Hi-Z状态一切权力
正常工作
低absorpion
正常工作
IC的温度= 130℃
正常工作
正常工作
OUT1A = OUT1B ; OUT2A = OUT2B
( IF IN1A = IN1B ; IN2A = IN2B )
该引脚为集电极开路。到具有高逻辑值时,它需要被拉到由电阻。
把CONFIG = 1表示连接引脚24 ( CONFIG)至21引脚, 22 ( VDD)实现单BTL (单声道模式)操作
大电流。
图3.引脚连接
V
CC
标志
V
CC
标志
V
SS
V
SS
IN2B
IN2A
IN1B
IN1A
TH_WAR
故障
三州
PWRDN
CONFIG
VL
VDD
VDD
GND -注册
GND清洁
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
D01AU1273
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
GND -SUB
OUT2B
OUT2B
V
CC
2B
GND2B
GND2A
V
CC
2A
OUT2A
OUT2A
OUT1B
OUT1B
V
CC
1B
GND1B
GND1A
V
CC
1A
OUT1A
OUT1A
北卡罗来纳州
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STA506A
表4.绝对最大额定值
符号
V
CC
V
最大
P
合计
T
op
T
英镑
, T
j
参数
直流电源电压(引脚4,7,12,15 )
引脚最大电压23 32 (逻辑参考)
功率耗散(T
例
= 70°C)
工作温度范围
储存和结温
价值
45
5.5
50
0到70
-40至150
单位
V
V
W
°C
°C
表5 ( * )推荐工作条件
符号
V
CC
V
L
T
AMB
直流电源电压
输入逻辑参考
环境温度
参数
分钟。
10
2.7
0
3.3
典型值。
马克斯。
40
5.0
70
单位
V
v
°C
( * )的表现不能保证超出推荐工作条件
表6.热数据
符号
T
J-情况
T
JSD
T
WARN
t
HSD
参数
热阻结到外壳(散热片)
热关断结温
热温警告
热关断滞后
150
130
25
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
° C / W
°C
°C
°C
表7.电气特性的影响:
参考电路在图1 (Ⅴ
L
= 3.3V; V
CC
= 32V ;
L
= 8;
f
sw
= 384KHz ;牛逼
AMB
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
R
DSON
I
DSS
g
N
g
P
Dt_s
Dt_d
t
D ON
t
D OFF
t
r
t
f
V
CC
V
IN -H
参数
功率P沟道/ N沟道
MOSFET的RDSON
功率P沟道/ N沟道
泄漏的Idss
Id=1A
V
CC
=35V
95
95
10
20
50
100
100
25
25
10
40
V
L
/2
+300mV
测试条件
分钟。
典型值。
200
马克斯。
270
50
单位
m
A
%
%
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
P沟道功率RDSON匹配id = 1A
功率N沟道RDSON
匹配
低电流死区时间(静态)
Id=1A
见测试电路1号;参见图。 3
大电流死区时间( DINAMIC ) L = 22μH ; C = 470nF的;
L
= 8
ID = 3.5A ;参见图。五
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
电源电压工作电压
高电平输入电压
阻性负载
阻性负载
电阻性负载;图3为
电阻性负载;如所示。 3
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