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ST9401
P沟道增强型MOSFET
-3.0A
描述
ST9401是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,它是
采用高密度生产, DMOS沟technology.This高密度工艺
特别是针对减少通态resistance.These器件特别适用于
低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑的电源管理,
其它电池供电的电路,并且低线的功率损耗是必需的。该产品是在
一个非常小外形表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
½
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
½
½
½
½
-20V/-2.8A,
R
DS ( ON)
= 85mΩ
@V
GS
= -4.5V
-20V / -2.0A ,R
DS ( ON)
= 120mΩ
@V
GS
= -2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23封装设计
最热
SOT-23
3
S01YA
1
Y:年份代码
2
答:处理代码
订购信息
产品型号
ST9401SRG
SOT-23
最热
S01YA
过程代码
AZ ; AZ
ST9401SRG
S: SOT23 R:带卷轴; G:铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
ST9401 2005 V1
ST9401
P沟道增强型MOSFET
-3.0A
ABSOULTE最大额定值
( TA = 25 ℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流( TJ = 150 ℃ )
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-20
±12
-3.0
-2.0
-10
-1.6
1.25
0.8
150
-55/150
120
单位
V
V
A
A
A
W
℃/W
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ST9401 2005 V1
ST9401
P沟道增强型MOSFET
-3.0A
电气特性
( TA = 25 ° ,除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
符号
条件
典型值
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
= VGS ,我
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
-20
-0.4
V
-1.
±100
-1
-10
uA
A
0.085
0.110
V
nA
I
DSS
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
DS
≦-5V,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-2.8A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.0A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8V
I
S
=-1.6A,V
GS
=0V
-6
-3
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
0.110
0.120
Ω
S
6.5
-0.8
-1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
tr
V
DS
=-6V
V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.8A
V
DS
=-6V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=-6V
R
L
=6Ω
I
D
=-1A
V
=-4.5V
R
G
=6Ω
5.8
0.85
1.7
415
223
87
13
36
42
34
10
nC
pF
25
60
70
60
nS
打开-O FF时间
t
D(关闭)
tf
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ST9401 2005 V1
ST9401
P沟道增强型MOSFET
-3.0A
典型CHARACTERICTICS
( 25 ℃除非另有说明)
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典型CHARACTERICTICS
( 25 ℃除非另有说明)
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ST9401 2005 V1
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    联系人:杨小姐
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    ST9401
    -
    -
    -
    -
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ST9401
STANSON
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SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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SOT23
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人:何小姐
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ST9401
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