ST93CS46
ST93CS47
1K （ 64 ×16 ），串行EEPROM MICROWIRE
不适用于新设计
100万次擦/写，带
40年数据保留
自定时编程周期
自动擦除
期间READY / BUSY信号
程序设计
单电源电压
- 3V至5.5V的ST93CS46
- 2.5V至5.5V的ST93CS47
用户自定义写保护区
页写模式（ 4个字）
连续读操作
5ms的典型时间
ST93CS46和ST93CS47被取代
在M93S46
8
1
PSDIP8 （ B）
0.4毫米框架
8
1
SO8 （M ）
150mil宽度
图1.逻辑图
描述
该ST93CS46和ST93CS47是1K位Electri-
美云可擦除可编程存储器（EEPROM）
制作与SGS - THOMSON的高耐用性
单多晶硅CMOS技术。内存
通过串行输入D和输出Q.访问
在1K位存储器由64 ×16位
字。存储器是由一组指令的存取
系统蒸发散，其中包括读，写，页写，写
所有和指令用来设置内存保护
化。读取指令加载的地址
第一个字被读入一个内部地址
指针。
表1.信号名称
S
D
Q
C
PRE
W
V
CC
V
SS
片选输入
串行数据输入
串行数据输出
串行时钟
保护启用
写使能
电源电压
地
VCC
D
C
S
PRE
W
ST93CS46
ST93CS47
Q
VSS
AI00884B
1997年6月
这是一个产品信息仍然不推荐在新德标牌生产BU吨。
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ST93CS46 ， ST93CS47
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 SO引脚连接
ST93CS46
ST93CS47
S
C
D
Q
1
2
3
4
8
7
6
5
AI00885B
ST93CS46
ST93CS47
VCC
PRE
W
VSS
S
C
D
Q
1
2
3
4
8
7
6
5
AI00886C
VCC
PRE
W
VSS
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
领导
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
焊接温度，焊接
（ SO8封装）
（ PSDIP8包）
40秒
10秒
价值
-40到85
-65到150
215
260
-0.3到V
CC
+0.5
-0.3 6.5
(2)
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
输入或输出电压（Q = V
OH
或Hi -Z ）
电源电压
静电放电电压（人体模型）
静电放电电压（机器型号）
(3)
3000
500
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他
相关的质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100pF的， 1500
).
3. EIAJ IC- 121 （条件C ） （ 200pF的， 0
).
描述
（续）
然后将数据同步输出串行。地址
指针数据后自动递增
被输出，并且如果片选输入端（ S）被保持
高， ST93CS46 / 47可输出一个顺序
的数据字流。在这种方式中，存储器可以
被读作16的数据流中，以1024比特，或
连续的地址计数器自动
翻转到00时的最高地址是
抵达。内通过编程所需的时间
明周期（T
W
） ，至多4个字可被写入
页写指令的帮助;全
存储器也可以被删除，或者设定为predeter-
开采的图案，通过使用写入所有指令。
内的存储器中，用户定义的区域可以是
防止进一步的写指令。该
此区域的大小由一个内容定义
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保护寄存器，位于所述存储器的外
数组。作为最终保护步骤中，数据可以是per-
通过编程一次性manently保护
位编程（ OTP位）的锁定保护
寄存器的内容。
编程是内部自定时（外
在C输入时钟信号可以被断开或左
一个写入周期开始之后运行）和不
不需要之前写指令擦除周期
化。写指令写入16位在同一时间
成64个字中的一个，所述页写指令
写入到4个字的16位的顺序某些地区
系统蒸发散，假设在这两种情况下，所有的地址
是写保护区之外。
编程周期开始后，
就绪/忙信号，可在数据输出
（ Q） ，当片选（ S）输入引脚驱动
高。
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