ST 8550 （ 2A ）
PNP硅外延平面晶体管
用于开关和放大器应用。尤其
适用于AF-驱动级和低功率输出
阶段。
该晶体管被分成两个组，C组和
根据其直流电流增益 。
1. 2.发射基地3.收藏家
TO- 92塑料包装
重量约。 0.19克
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
存储温度范围
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 5毫安
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 100毫安
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 1.5 A
集电极基截止电流
在-V
CB
= 35 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 6 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 100 A
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 100毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 100毫安
基极发射极电压
在-I
C
= 10毫安， -V
CE
= 1 V
增益带宽积
在-V
CE
= 10 V ， -I
C
= 50毫安
集电极电容基地
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
B
P
合计
T
j
T
S
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
-V
BE（上）
f
T
C
OB
分钟。
45
120
160
40
-
-
40
25
6
-
-
-
120
-
价值
40
25
6
2
100
1
150
- 55至+ 150
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
马克斯。
-
200
300
-
100
100
-
-
-
0.5
1.2
1
-
-
单位
V
V
V
A
mA
W
O
C
C
单位
-
-
-
-
nA
nA
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
O
8550C
8550D
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/08/2008
ST 8550 （ 2A ）
PNP硅外延平面晶体管
用于开关和放大器应用。尤其
适用于AF-驱动级和低功率输出
阶段。
该晶体管被分成两个组，C组和
根据其直流电流增益 。
1. 2.发射基地3.收藏家
TO- 92塑料包装
重量约。 0.19克
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
存储温度范围
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 5毫安
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 100毫安
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 1.5 A
集电极基截止电流
在-V
CB
= 35 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 6 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 100 A
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 100毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 100毫安
基极发射极电压
在-I
C
= 10毫安， -V
CE
= 1 V
增益带宽积
在-V
CE
= 10 V ， -I
C
= 50毫安
集电极电容基地
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
B
P
合计
T
j
T
S
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
-V
BE（上）
f
T
C
OB
分钟。
45
120
160
40
-
-
40
25
6
-
-
-
120
-
价值
40
25
6
2
100
1
150
- 55至+ 150
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
马克斯。
-
200
300
-
100
100
-
-
-
0.5
1.2
1
-
-
单位
V
V
V
A
mA
W
O
C
C
单位
-
-
-
-
nA
nA
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
O
8550C
8550D
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/08/2008
ST 8550 （ 2A ）
PNP硅外延平面晶体管
用于开关和放大器应用。尤其
适用于AF-驱动级和低功率输出
阶段。
该晶体管被分成两个组，C组和
根据其直流电流增益 。
1. 2.发射基地3.收藏家
TO- 92塑料包装
重量约。 0.19克
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
存储温度范围
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 5毫安
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 100毫安
在-V
CE
= 1 V ， -I
C
= 1.5 A
集电极基截止电流
在-V
CB
= 35 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 6 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 100 A
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 100毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 100毫安
基极发射极电压
在-I
C
= 10毫安， -V
CE
= 1 V
增益带宽积
在-V
CE
= 10 V ， -I
C
= 50毫安
集电极电容基地
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
B
P
合计
T
j
T
S
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
-V
BE（上）
f
T
C
OB
分钟。
45
120
160
40
-
-
40
25
6
-
-
-
120
-
价值
40
25
6
2
100
1
150
- 55至+ 150
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
马克斯。
-
200
300
-
100
100
-
-
-
0.5
1.2
1
-
-
单位
V
V
V
A
mA
W
O
C
C
单位
-
-
-
-
nA
nA
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
O
8550C
8550D
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/08/2008
QQ：2880707522 复制
