ST735S
ST735T
为300kHz ， -5V / ADJ反相，负输出
电流模式PWM稳压器
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
转换成+ 4.0V至+ 6.2V输入至-5V
OUTPUT （ 735S ）或+ 3.5V至+ 9.0V到
负可调输出（ 735T ）
1W保证输出功率
72 ％的典型效率
0.8毫安静态电流
1μA关断模式
300KHZ固定频率振荡器
电流模式PWM转换器
低噪音和抖动
软启动
简单的应用电路
欠压锁定（ 735S ）
DIP-8
SO-8
描述
该ST735S / ST735T是一个双CMOS ，反相
开关模式与内部电源的DC-DC调节器
MOSFET产生一个固定-5V （ S版）或
负可调（ T版）输出电压
从4V （ 3.5V为735T ），以6.2V的输入电压
（ 9V为735T ） ;是有保证的输出电流
为200mA的输入大于4.5V 。该
静态电流为这个设备是典型的
原理图
0.8毫安，在关断模式下，它被还原成
1A.
这些省电的功能，以及高
效率和应用电路，即借给自己
到minaturization ，使ST735S / ST735T
优良的大范围上的卡，硬盘驱动器和
便携式设备的应用程序。这些装置
采用高性能的电流模式脉冲
用调制（ PWM）控制方案提供
严格的输出电压调节，低噪音。该
固定频率振荡器在工厂调整为
300KHz的，允许简单的噪声过滤。该
稳压器的生产测试，以保证有
在对所有指定的± 5 ％的输出精度
条件。
2002年10月
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ST735S/ST735T
绝对最大额定值
符号
V
IN
V
IN
SHDN
V
LX
V
FB
V
OUT
I
LX
P
合计
T
英镑
T
op
参数
直流输入电压（V
IN
到GND）为ST735S
直流输入电压（V
IN
到GND）为ST735T （注1 ）
关断电压（ SHDN接GND）
开关管的电压（ LX到V
IN
)
反馈电压（V
OUT
到GND）
输出电压（V
OUT
到GND）
其他的输入电压（ SS ， CC到GND）
Peack开关电流
在T功耗
j
= 70°C
存储温度范围
工作结温范围
DIP-8
SO-8
价值
-0.3到+7
-0.3至+11
-0.3到V
IN
+0.3
-12.5到+0.3
-11至+0.3
-11至+0.3
-0.3到V
+
+0.3
2
725
470
-55到+150
-40到+125
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作
不是暗示。
注1：表示输入和输出的差分电压被限制到V
IN
+|V
OUT
|<12.7V
热数据
符号
R
THJ情况
参数
热阻结案件
DIP-8
2
SO-8
8
单位
° C / W
接线图
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚n °
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
SHDN
V
REF
SS
CC
V
OUT
GND
LX
V
IN
参考输出电压
软启动
补偿输入
负输出电压
地
开关输出
正电源 - 电压输入
名称和功能
停机控制（V
CC
= ON = GND关闭
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ST735S/ST735T
订货代号
TYPE
ST735S
ST735T
DIP-8
ST735SCN
ST735TCN
SO-8
ST735SCD
ST735TCD
SO- 8 （ T&R ）
ST735SCD-TR
ST735TCD-TR
典型应用电路
注意：
1 ）所有的电容都是X7R陶瓷
2) C
5
如果被用于输入和输出电容器使用较高的值，可以省略（建议
2
= 47μF ，C
1
=100F).
3) R
1
和R
2
必须放置仅为ST735T应用程序。它们的值由下式R计算
2
=(|V
OUT
|/V
REF
） xR的
1
。对于R
1
可被选择为2kΩ和20kΩ的之间的任意值
应用电路
为了实现从切换的最佳演出
电源拓扑结构，特别注意布局
附图是需要的，以便最大限度地减少EMI和
获得低噪音。此外，无抖动操作
确保了完整的设备功能。布局设计
上演示板提出有助于降低
开发时间。金属丝的长度必须被最小化，
印花DEMOBOARD
（未按比例）
滤波和旁路电容必须是低ESR
型，置于尽可能接近到集成
电路。该4.7μF （或6.8μF ），电感器必须
选择建立在一个核心，同时注意饱和
电流应大于峰值LX开关更高
电流。见峰值电感电流与输出
当前图形。
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ST735S/ST735T
作者ST735S电气特性
（请参考测试电路，V
IN
= 5V ，C
IN
= 4.7μF ，C
OUT
= 10F
所有X7R陶瓷， L = 4.7μH （注1） ，我
OUT
= 0毫安，T
AMB
= -40 125 ℃，除非另有规定。典型
值被称为在T
AMB
= 25°C)
符号
V
IN
V
OUT
参数
输入电压
输出电压
V
IN
= 4.5V至6.2V我
OUT
= 0 200mA的
T
AMB
= -40至125
°C
V
IN
= 4.0V至6.2V我
OUT
= 0至175毫安
T
AMB
= -40至125
°C
I
OUT
输出电流
V
IN
= 4.5V至6.2V牛逼
J
= 0至125
°
C
V
IN
= 4.5V至6.2V我
OUT
= 0至175毫安
T
AMB
= -40至125
°C
V
IN
= 4.0V
I
供应
I
SC
I
PEAK
V
LO
V
OUT
V
OUT
V
REF
V
REF
R
DSON
I
泄漏
I
SH
V
IL
V
IH
f
OSC
½
R
CC
电源电流
短路电流
LX最大峰值电流
欠压锁定
线路调整
负载调整率
参考电压
参考漂移
LX ON电压
LX漏电流
关断引脚电流
关断输入低
门槛
关断输入高
门槛
最大振荡器
频率
工作功率
补偿引脚
阻抗在CC引脚
V
DS
= 10V
V
IN
= 4.0V至6.2V
I
OUT
= 0 200mA的
T
AMB
= 25
°
C（注3 ）
T
AMB
= -40至125
°
C
I
待机
待机电流
V
SHDN
= 0V
V
IN
= 5V
（注2 ）
V
OUT
= -5V
包括开关电流
测试条件
分钟。
4
-5.25
-5.25
200
175
175
0.8
1
0.9
1.5
3.5
0.1
0.003
1.225
50
0.5
1
1
0.25
2
300
I
OUT
= 100毫安
72
7.5
4
1.6
10
-5
-5
275
典型值。
马克斯。
6.2
-4.75
-4.75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
%/V
％ / mA的
V
PPM /°C的
A
A
V
V
千赫
%
K
注1 ：利用的6.8μH允许在相同的操作条件，以实现更高的电流能力
注2 ：设计保证，但在生产中测试
注3 ：测试在我
VREF
= 125A
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ST735S/ST735T
ST735T电气特性
（请参考测试电路，V
IN
= 5V ，C
IN
= 4.7μF ，C
OUT
= 10F
所有X7R陶瓷， L = 4.7μH （注1） ，我
OUT
= 0毫安，V
O
调整为-5V ，T
AMB
= -40至125℃ ，除非另有
指定的。典型值被称为在环境温度Tamb = 25°C ）
符号
V
IN
V
O
参数
输入电压
输出电压
V
IN
= 4.5V至6.2V我
OUT
= 0 200mA的
T
AMB
= -40至125
°C
V
IN
= 4.0V至6.2V我
OUT
= 0至175毫安
T
AMB
= -40至125
°C
I
O
输出电流
V
IN
= 4.5V至6.2V牛逼
AMB
= 0至125
°
C
V
IN
= 4.5V至6.2V我
OUT
= 0至175毫安
T
AMB
= -40至125
°C
V
IN
= 4.0V
I
供应
I
SC
I
PEAK
V
LO
V
OUT
V
OUT
V
REF
V
REF
R
DSON
I
泄漏
I
SH
V
IL
V
IH
f
OSC
½
R
CC
电源电流
短路电流
LX最大峰值电流
欠压锁定
线路调整
负载调整率
参考电压
参考漂移
LX ON电压
LX漏电流
关断引脚电流
关断输入低
门槛
关断输入高
门槛
最大振荡器
频率
工作功率
补偿引脚
阻抗在CC引脚
V
DS
= 10V
V
IN
= 4.0V至6.2V
I
OUT
= 0 200mA的
T
AMB
= 25
°
C（注3 ）
T
AMB
= -40至125
°
C
I
待机
待机电流
V
SHDN
= 0V
V
IN
= 5V
（注2 ）
V
OUT
= -5V
包括开关电流
测试条件
分钟。
3.5
-5.25
-5.25
200
175
175
0.8
1
0.9
1.5
3.5
0.1
0.003
1.225
50
0.5
1
1
0.25
2
300
I
OUT
= 100毫安
72
7.5
4
1.6
10
-5
-5
275
典型值。
马克斯。
9
-4.75
-4.75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
%/V
％ / mA的
V
PPM /°C的
A
A
V
V
千赫
%
K
注1 ：利用的6.8μH允许在相同的操作条件，以实现更高的电流能力
注2 ：设计保证，但在生产中测试
注3 ：测试在我
VREF
= 125A
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