polyfet射频器件
ST704
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"
TM
工艺特点
较低的反馈和输出电容，
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
125.0瓦单端
包装样式AT
高效率，线性
高增益，低噪声
o
绝对最大额定值（T = 25℃ ）
总
设备
耗散
190瓦
结到
热病例
阻力
o
0.85 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
20 V
11.5 A
射频特性（ 125.0瓦的输出）
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
13
75
10:1
典型值
最大
单位
dB
%
相对的
测试条件
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
150
兆赫
150
兆赫
η
VSWR
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
150
兆赫
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
4.8
0.25
28.00
200.0
12.0
128.0
民
65
4.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 80.00毫安， VGS = 0V
VDS = 28.0 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.40 ，V GS = VDS
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ，IDS =
10.00 A
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订2003年7月17日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
ST704
POUT VS PIN GRAPH
S T 7 0 4 P 2 O ü T·V·S P F中重新Q = 1 5 0 M·H Z，
V·D S = 2 8 V ， ID为q = 。 8的
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10 12
14
P ，以W为T牛逼S
16
18
20
8.00
10
0
5
10
15
20
25
30
1000
电容VS电压
S1A 4 DICE电容
14.00
西塞
噘
12.00
100
科斯
收益
10.00
效率= 75％
CRSS
以伏VDS
IV曲线
S1A 4 D IV
IE
35
30
25
ID为安培
20
15
10
5
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
VDS
Vg=6v
INVOLTS
vg=8v
14
0
16
18
vg=12v
20
ID & GM VS VGS
100.00
S1A 4 DIE ID & GM VS VG
ID安培;通用汽车在姆欧
10.00
Id
gM
1.00
0.10
0
2
4
6
8
VGS的电压
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2003年7月17日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
polyfet射频器件
ST704
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"
TM
工艺特点
较低的反馈和输出电容，
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
125.0瓦单端
包装样式AT
高效率，线性
高增益，低噪声
o
绝对最大额定值（T = 25℃ ）
总
设备
耗散
190瓦
结到
热病例
阻力
o
0.85 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
20 V
11.5 A
射频特性（ 125.0瓦的输出）
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
13
75
10:1
典型值
最大
单位
dB
%
相对的
测试条件
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
150
兆赫
150
兆赫
η
VSWR
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
150
兆赫
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
4.8
0.25
28.00
200.0
12.0
128.0
民
65
4.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 80.00毫安， VGS = 0V
VDS = 28.0 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.40 ，V GS = VDS
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ，IDS =
10.00 A
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订2003年7月17日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
ST704
POUT VS PIN GRAPH
S T 7 0 4 P 2 O ü T·V·S P F中重新Q = 1 5 0 M·H Z，
V·D S = 2 8 V ， ID为q = 。 8的
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10 12
14
P ，以W为T牛逼S
16
18
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10
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5
10
15
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25
30
1000
电容VS电压
S1A 4 DICE电容
14.00
西塞
噘
12.00
100
科斯
收益
10.00
效率= 75％
CRSS
以伏VDS
IV曲线
S1A 4 D IV
IE
35
30
25
ID为安培
20
15
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VDS
Vg=6v
INVOLTS
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20
ID & GM VS VGS
100.00
S1A 4 DIE ID & GM VS VG
ID安培;通用汽车在姆欧
10.00
Id
gM
1.00
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VGS的电压
10
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寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2003年7月17日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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