N沟道阳城模式MOSFET
60V/60A
描述
ST6006S / ST6006
该ST6006是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度， DMOS沟道技术。
这ST6006是densigned承受高能量雪崩和减刑模式。
专为低电压，电源供应器高速开关应用中，转换器
和功率的电机控制，这些设备特别适合井为电桥电路，其中
二极管的速度和换向安全工作区域是至关重要的，并提供额外的safetv
保证金对意外的电压瞬变。
引脚配置
TO-220-3L
ST6006
TO-263-2L
ST6006S
应用
电源
转换器
电源电机控制
电桥电路
特征
20V / 2.8A ，R
DS （ ON）
= 85米欧姆
@VGS = 4.5V
20V / 2.4A ，R
DS （ ON）
= 115米欧姆
@VGS = 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大
DC电流能力
SOT- 23-3L封装设计
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N沟道阳城模式MOSFET
60V/60A
订购信息
产品型号
ST6006T220TG
ST6006T220RG
包
TO-220-3L
TO-263-2L
ST6006S / ST6006
最热
ST6006D
ST6006
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 150
℃
) T
A
=25℃
T
A
=70
℃
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θ
JA
典型
60
+/-20
60
39
120
60
120
3.7
150
-55/150
40
62.5
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
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电话： （ 650 ） 9389294传真： （ 650 ） 9389295
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N沟道阳城模式MOSFET
60V/60A
TO- 220-3L封装外形图
ST6006
ST6006S / ST6006
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N沟道阳城模式MOSFET
60V/60
TO- 263-2L封装外形图
ST6006S
ST6006S / ST6006
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